ST以创新的功率封装技术开发更小、更耐用的650V和800V MOSFET
发布时间：2014-2-17 09:44
发布者：eechina
意法半导体（ST）将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOFET系列产品，让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等注重节能的设备变得更紧凑、更稳健、更可靠。 
意法半导体先进的 PowerFLAT 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封装具有高达650V和800V电压运行所要求的隔离通道长度和间隙，而封装面积与工业标准的100V PowerFLAT 5x6封装的5mm x 6mm相同，比主流的DPAK封装缩小 52%。此外，这两个先进封装仅1mm厚，配备一个裸露的大面积的金属漏极焊盘，通过印刷电路板上的散热通孔最大限度地排热。 这些功能同时提高了管子的高压输出能力、稳健性、可靠性和系统功率密度。 意法半导体目前正在推出三款采用PowerFLAT 5x6 HV封装的650V MDmesh V MOSFET产品，还推出四款额定电压极高的采用 PowerFLAT 5x6 VHV 800V封装的SuperMESH 5 MOSFET。 此外，意法半导体已经开始提供两款采用PowerFLAT 5x6 HV 封装的600 V 快速开关型低Qg 的MDmesh II Plus MOSFET测试样片。 详情请访问 www.st.com/mosfet |
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