东芝为基站和服务器推出30V电压功率MOSFET
发布时间:2013-6-20 10:15
发布者:eechina
关键词:
功率MOSFET
实现最高级别低导通电阻性能和高速转换 东芝公司宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构,实现了最高级别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。 特性 1. 采用了第八代低压沟槽结构,实现了最高级别的[注1]低导通电阻 2. 实现了较低的内部门极电阻和较低的门极电容比(Cgd/Cgs),有助于预防自启动现象
有关该产品的更多信息,敬请查看产品页面。 http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323894_37649.html 客户问询: 功率设备销售与营销部 电话:+81-3-3457-3416 |
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