IR 推出具有基准导通电阻的全新300V功率MOSFET

发布时间:2013-1-23 10:20    发布者:eechina
关键词: 功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)  近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列,可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ,这些工业应用包括110V-120V交流电压线性调节器和110V-120V交流电压电源,以及直流-交流逆变器,如太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)等。

全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻,有助于提升系统效率,还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。

300V-MOSFET.jpg

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“由于IR 300V MOSFET系列提供基准导通电阻,能够提升效率、功率密度和可靠性,非常适合需要更高效率的工业应用。”

新器件不含铅,符合第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准和电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

规格
器件编号
10Vgs (mΩ) 下的最大导通电阻
典型Qg (nC)
Id
封装
IRFB4137PBF
69
83
40
TO-220
IRFP4137PBF
69
83
40
TO-247
IRFP4868PBF
32
180
70

TO-247

新产品现正接受批量订单。相关数据和MOSFET产品在线选型工具,请浏览 IR 的网站 www.irf.com
本文地址:https://www.eechina.com/thread-109451-1-1.html     【打印本页】

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