Vishay发布新款20V P沟道MOSFET 具有4.8mΩ低导通电阻
发布时间：2012-11-28 19:24
发布者：eechina
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器件采用3.3mm平面封装并在4.5V栅极驱动下具有4.8mΩ低导通电阻 Vishay 推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28%，同时保持相同的PCB布版样式。 
Si7655DN的应用将包括工业系统中的负载开关和热插拔，适配器、电池和充电电路中的负载开关，智能手机、平板电脑和其他移动计算设备中的电源管理。Si7655DN还可以用于固话电信、蜂窝电话基站和服务器/计算机系统中的冗余开关、OR-ing和监管应用。 利用新的PowerPAK 1212封装型号和Vishay Siliconix业内领先的P沟道Gen III技术，Si7655DN具有3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大导通电阻。这些性能规格比最接近的-20V器件提高17%或更多。 Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降，更有效地使用电能，让电池运行的时间更长，且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封装将有助节省宝贵的空间。 Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P沟道MOSFET系列中的最新成员。有关TrenchFET Gen III系列的更多信息，见www.vishay.com/doc?49996。 新的Si7655DN现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。 |
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