工业/测控文章列表

具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计

具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计

作者:德州仪器(TI) 氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的 ...
2020年12月15日 14:15   |  
GaN   工业电源  
新制造时代人才培养如何转型升级

新制造时代人才培养如何转型升级

没有一流的人才就没有一流的制造业,那么,新制造业到底需要什么样的人才?制造业面临很多问题和困难,制造业的问题是不是就是制造的问题?  分享一个睡眠产品的案例。第一家公司是深圳的创业 ...
2020年12月14日 23:01   |  
制造业   系统化思维   羿戓设计   工程师  
包政:工业4.0时代的深度思考

包政:工业4.0时代的深度思考

单从概念上说,工业2.0是机械化的大量生产方式。工业3.0是自动化的柔性生产方式。由此而论,工业4.0是智能化的超柔性生产方式。这种智能化的程度,使个性化的定制变成可能。这就是丰田所说的“ ...
2020年12月14日 22:50   |  
中国制造   柔性生产   羿戓制造   羿戓设计  

“智能制造”最原始的驱动力是什么?

 智能制造的起源是智慧工厂,而智慧工厂的概念最早由IBM于2009年提出,属于IBM“智慧地球”理念在制造业的应用实践。随着智能化成为各国制造业的发展方向,企业管理方式、个人生活理念和国际竞 ...
2020年12月09日 23:32   |  
智能制造   智能工厂   人工智能   羿戓设计  
工业对国家的重要性你可知道?

工业对国家的重要性你可知道?

 疫情打破了过去直线型的、平滑的、可预测的社会,给全球带来百年未有之大变局。对于我国来说,今年也是实现全面建成小康社会目标和“十三五规划收官之年以及“十四五”规划谋篇布局之年。在这 ...
2020年12月09日 23:26   |  
羿戓设计   工业   羿戓信息   制造业   去工业化  

非易失性MRAM基本知识详解

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。 MRAM特性 ●MRAM读/写周期 ...
2020年12月08日 17:01   |  
非易失性MRAM   MRAM   非易失性存储器   Everspin  
更高能效、稳定可靠的工业驱动模块和开箱即用的电机开发套件

更高能效、稳定可靠的工业驱动模块和开箱即用的电机开发套件

作者:安森美半导体 功率集成模块(PIM)被广泛用于驱动、泵、暖通空调 (HVAC)、能源转换等各个领域,实现对能源的调制及高效利用。安森美半导体的创新的压铸模PIM (TMPIM),集成最佳的IGBT / ...
2020年12月08日 14:05   |  
功率模块   TMPIM   CIB   工业驱动  
全球工业领导者:云平台是新常态下唯一生存和繁荣之道

全球工业领导者:云平台是新常态下唯一生存和繁荣之道

工程和工业领域的全球领导者**EVA剑维软件指出,如今工业企业纷纷转向云技术、数字孪生、人工智能(AI)和自动化技术,希望借助前沿技术的力量在当今举步维艰的宏观经济环境中立于不败之地。 ...
2020年12月07日 22:55   |  
云平台   人工智能   云计算   数字化转型   羿戓设计  

如何巧用电缆故障测试仪检测出故障点?

  电力电缆故障有多种形式。到目前为止,最容易定位的是已知电缆走线的简单网络上的永久性故障,例如路灯安装的供电系统。但是,这并不意味着发现故障是一件微不足道的工作。实际上,这可能会 ...
2020年12月07日 16:04

新制造时代人才培养如何转型升级

没有一流的人才就没有一流的制造业,那么,新制造业到底需要什么样的人才?制造业面临很多问题和困难,制造业的问题是不是就是制造的问题?  分享一个睡眠产品的案例。第一家公司是深圳的创业 ...
2020年12月04日 22:24   |  
羿戓设计   羿戓信息   环保意识  

包政:工业4.0时代的深度思考

单从概念上说,工业2.0是机械化的大量生产方式。工业3.0是自动化的柔性生产方式。由此而论,工业4.0是智能化的超柔性生产方式。这种智能化的程度,使个性化的定制变成可能。这就是丰田所说的“ ...
2020年12月04日 22:14   |  
中国制造   羿戓设计   柔性生产   机器人 羿戓资源  

嵌入式STT-MRAM效应与流致反转

最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场,使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程,因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。 ...
2020年12月03日 14:20   |  
DRAM   SRAM   MRAM   STT-MRAM  

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