测试测量文章列表

如何确定电容器的介电吸收

当介电材料中随机指向的永久分子偶极子在外电场的作用下排列整齐时,就发生了介电吸收现象。电容器从放电电路断开以后,电容器中保持剩余的电荷,从而在电容器的端子之间重新建立起电压。 ...
2010年09月30日 10:08   |  
电容器   介电   吸收  

二极管泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流的测量

测试半导体器件和晶圆片(Wafer)常常要涉及到测量小电流。其中有些测试工作包括各种泄漏电流的测量。另一些对于晶圆片级半导体的弱电流测量则通常与介电材料(氧化物或化合物)的质量有关。这 ...
2010年09月30日 10:07   |  
MOSFET   电流   二极管   泄漏   亚阈区  

FFT、PFT和多相位DFT滤波器组瞬态响应的比较

滤波器组频率响应的研究是一个非常复杂的课题。这方面的大多数文章只研究稳定状态下的响应,事实上,雷达和其它突发方式的信号具有瞬时的特性。因此,了解滤波器组的瞬时性能是非常重要的。一般 ...
2010年09月30日 10:02   |  
DFT   fft   PFT   滤波器   相位  

在频谱日益密集的条件下RF测量仪器的发展趋势

由于市场因素,一直要求测试仪器演进得与无线技术本身一样快。例如,测试低电平信号的能力正变得日益重要,不仅是检测干扰,还用于无线系统的规划。这是因为如上所述的RF频谱日益拥挤。实际上, ...
2010年09月30日 09:59   |  
测量仪器   发展趋势   频谱  

实现和测试开关硬件的途径

一.连接、配线和电缆 系统中使用的连接器和电缆的类型取决于使用的开关卡类型和被切换的信号。一般而言,开关卡有4种连接类型:螺栓端子、连接头、同轴连接器和同轴三柱器。 对于螺栓 ...
2010年09月30日 09:56   |  
测试   开关   硬件  

扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析

扩展电阻技术(spreading resistance profile,SRP)由于其优越的空间分辨率越来越广泛地应用在外延片和IC 图形片测试中。SRP 技术既可以测量外延片纵向电阻变化,也可以测量外延层厚度、过渡区 ...
2010年09月30日 09:40   |  
电阻   厚度   扩展   误差  

芯片实验室及其发展趋势

一、前言 芯片实验室(Lab-on-a-chip)或称微全分析系统(Miniaturized Total Analysis System, µ-TAS)是指把生物和化学等领域中所涉及的样品制备、生物与化学反应、分离检测等基本操 ...
2010年09月29日 14:45   |  
MEMS   微全分析系统   芯片实验室  

用于位置测量的PSoC微控制器与LVDT

廉价的复合信号处理器消除了外部模拟电路。 将一个LVDT(线性可变差分变压器)连接到微控制器是有挑战性的工作,因为LVDT需要交流输入激励和交流输出的测量,以确定其可移动核的位置。多数微控 ...
2010年09月29日 13:07   |  
LVDT   PSoC   测量   控制器  

如何搭建一个能够有效表征放大器干扰灵敏度的测试平台

在便携式应用中,无线收发器的激增就需要对在高频无线电发射机附近电子电路操作能力进行重点关注。在千兆赫无线电系统中,无线电天线与低频放大器配件的密切接近可以引起无线电信号的解调,导致 ...
2010年09月28日 23:12   |  
表征   测试平台   放大器   干扰   灵敏度  

基本电能质量测量方法和常见问题原因

虽然我们享受着固态技术的发展所带来的巨大好处,但在实际上,处于这一技术核心地位的微电子技术却依赖着清洁电能。更快的速度和更低的电压,意味着对电能质量有着更高的要求。 电能质量(PQ ...
2010年09月28日 23:05   |  
测量方法   电能质量  

SoC测试技术面临的挑战和发展趋势

中国是全球半导体市场成长最快的区域,预计每年增长率超过25%,原因在于中国已经成为全球集成电路消费的中心、电子产品巨大的消费市场和整机制造基地,为了贴近终端市场和IC用户,SoC测试中心和 ...
2010年09月28日 23:00   |  
SoC   测试技术   发展趋势  

逻辑分析仪在数字电路测试中的触发选择

1 引 言 随着数字技术的日新月异,在数字系统,特别是在计算机系统的研制、调试和故障诊断过程中,由模拟系统的时域和频域分析发展起来的传统测试方法与测试仪器往往难以奏效,于是新的数据 ...
2010年09月27日 17:44   |  
测试   触发选择   电路   分析仪  

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