电源技术文章列表

SEN1501D3是瑞斯特(RST)推出的双向ESD保护二极管

SEN1501D3是瑞斯特(RST)推出的双向ESD保护二极管

SEN1501D3是瑞斯特(RST)推出的双向ESD保护二极管,采用SOD-323表面贴装封装,专为15V电压敏感接口的静电放电与浪涌防护设计。该器件的核心电气参数包括:反向工作电压(VRWM)15V,击穿电压( ...
2026年08月17日 11:49   |  
瑞斯特  
5KP Series是瑞斯特(RST)推出的高功率瞬态电压抑制器(TVS)系列

5KP Series是瑞斯特(RST)推出的高功率瞬态电压抑制器(TVS)系列

5KP Series是瑞斯特(RST)推出的高功率瞬态电压抑制器(TVS)系列,采用R-6/P-600通孔插装封装,提供单向(A后缀)与双向(CA后缀)两种极性选择,工作电压覆盖5.0V至250V共51个等级。该系列的 ...
2026年08月17日 11:48   |  
瑞斯特  
瑞斯特(RST)WS15DF-B 双向瞬态电压抑制器(TVS)技术解析

瑞斯特(RST)WS15DF-B 双向瞬态电压抑制器(TVS)技术解析

WS15DF-B是瑞斯特(RST)推出的双向瞬态电压抑制器(TVS),采用0402超小型表面贴装封装,专为15V电压敏感接口的静电放电与瞬态过压防护设计。该器件的核心电气参数包括:反向工作电压(VRWM)1 ...
2026年08月17日 10:46   |  
瑞斯特  
瑞斯特(RST)1N4001W至1N4007W系列 表面贴装通用硅整流器

瑞斯特(RST)1N4001W至1N4007W系列 表面贴装通用硅整流器

1N4001W至1N4007W是瑞斯特(RST)推出的表面贴装通用硅整流器系列,采用SOD-123FL低剖面封装,专为自动化贴装的中低压整流应用设计。该系列按耐压等级分为七个子型号:1N4001W(50V)、1N4002W ...
2026年08月17日 10:45   |  
瑞斯特  
瑞斯特(RST)1N4148WS 单管高速开关二极管技术解析

瑞斯特(RST)1N4148WS 单管高速开关二极管技术解析

1N4148WS是瑞斯特(RST)推出的单管高速开关二极管,采用SOD-323表面贴装封装,专为高频信号切换与快速整流应用设计。该器件的核心电气参数包括:非重复峰值反向电压100V,重复峰值反向电压与工 ...
2026年08月17日 10:43   |  
瑞斯特  
瑞斯特(RST) 1N4148WT 的单管高速开关二极管

瑞斯特(RST) 1N4148WT 的单管高速开关二极管

1N4148WT是瑞斯特(RST)推出的单管高速开关二极管,采用SOD-523超小型表面贴装封装,专为空间受限的高频信号切换与快速整流应用设计。该器件的核心电气参数包括:非重复峰值反向电压100V,反向 ...
2026年08月17日 10:42   |  
瑞斯特  
RST品牌5817W 肖特基势垒二极管技术解析

RST品牌5817W 肖特基势垒二极管技术解析

肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)利用金属-半导体(M-S)接触特性实现多数载流子导电,区别于传统PN结二极管的少数载流子注入与复合机制,因此具备极低的正向压降和可忽略的反 ...
2026年08月17日 10:40   |  
瑞斯特   二极管  
RST品牌5819W 肖特基势垒二极管技术解析

RST品牌5819W 肖特基势垒二极管技术解析

肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)基于金属-半导体(M-S)接触形成的势垒实现整流功能,其导电机理以多数载流子为主,避免了传统PN结二极管中少数载流子存储与复合带来的反向恢 ...
2026年08月14日 15:34   |  
瑞斯特  
RST品牌BAT46WS 肖特基势垒二极管技术解析

RST品牌BAT46WS 肖特基势垒二极管技术解析

肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)基于金属与半导体接触形成的势垒实现整流功能,其导电机理以多数载流子为主,从根本上消除了传统PN结二极管中少数载流子存储效应带来的反向恢 ...
2026年08月14日 15:33   |  
瑞斯特  
RST品牌BAT54 肖特基势垒二极管技术解析

RST品牌BAT54 肖特基势垒二极管技术解析

肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)基于金属-半导体接触形成的势垒实现整流功能,其导电机理以多数载流子为主,从根本上消除了传统PN结二极管中少数载流子存储与复合带来的反向恢 ...
2026年08月14日 15:32   |  
瑞斯特  
RST品牌BAT54S 肖特基势垒二极管技术解析

RST品牌BAT54S 肖特基势垒二极管技术解析

肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)基于金属与半导体接触形成的势垒实现整流功能,其导电机理以多数载流子为主,从根本上消除了传统PN结二极管中少数载流子存储与复合带来的反向 ...
2026年08月14日 15:31   |  
瑞斯特  
RST品牌MBR60PT系列 肖特基势垒整流器技术解析

RST品牌MBR60PT系列 肖特基势垒整流器技术解析

肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier, SBR)基于金属-半导体接触形成的势垒实现整流功能,其导电机理以多数载流子为主,从根本上消除了传统快恢复整流二极管中少数载流子存储与复合带 ...
2026年08月14日 15:29   |  
瑞斯特  

厂商推荐

  • Microchip视频专区
  • 2026年Microchip中国技术精英年会(MASTERs)现已开放报名
  • 在您的32位设计中实现电容触摸 | 外设触控控制器(PTC)深度解析-1
  • 医用呼吸机的BLDC电机控制与图形界面解决方案
  • DSA1500 —— 面向汽车应用的低功耗、低抖动CMOS MEMS振荡器
  • 贸泽电子(Mouser)专区

本周文章排行榜

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
返回顶部