电源技术文章列表

实现电信电源高效率

实现电信电源高效率

来源:DigiKey 作者:Rolf Horn 电信行业在现代社会中发挥着重要作用,是全球即时通信的重要基础。无论是对于电话、短信还是网络命令,电信设备都能确保连接可靠。电信设备的正常运行离不开 ...
2023年11月29日 08:51   |  
电信   电源  
利用继电器模块提升功能安全

利用继电器模块提升功能安全

来源:DigiKey 作者:Rolf Horn 功能安全对当今的工业系统至关重要,即使在出现错误或故障时,也能保证机器和流程的安全运行。继电器模块通过提供可靠的电路调节机制,在确保功能安全方面发 ...
2023年11月28日 10:06   |  
继电器  
使用模块化电源转换器部署创新型输电网络

使用模块化电源转换器部署创新型输电网络

来源:DigiKey 作者:Art Pini 电动汽车 (EV) 电源传输网络 (PDN) 正在发生迅速变化。如 12 V 铅酸电池等传统电源正在被 48 V 或更高电压的电源取代。与此同时,许多电机、泵、传感器和执行 ...
2023年11月28日 10:01   |  
电源转换器   输电网络  
设计支持宽输入电压和电池电压范围的应用

设计支持宽输入电压和电池电压范围的应用

作者:德州仪器 对于工程师来说,当不同的工程有不同的电池充电需求时,设计使用可充电电池并为消费者提供出色充电体验的应用可能具有挑战性。如果对每个应用使用专用的电池充电器,会增加设 ...
2023年11月27日 20:26   |  
充电器   双向充电   太阳能充电  
PC57L0XX低功耗线性稳压器300mA电流内置晶体管只需极少外围元器件

PC57L0XX低功耗线性稳压器300mA电流内置晶体管只需极少外围元器件

PC57L0XX是采用CMOS工艺制造的高精度低压降稳压器。它可以提供高达300mA的电流,而仅消耗0.6uA 的静态电流。它由一个参考电压发生器,一个误差放大器,一个电流折返电路,一个相位补偿电路以及 ...
2023年11月27日 17:39   |  
LDO   稳压器   线性稳压器   DC-DC稳压器  
PC58LXXX高精度低功耗高耐压输线性稳压器(LDO)

PC58LXXX高精度低功耗高耐压输线性稳压器(LDO)

PC58LXXX系列是高精度,高输入电压,低静态电流,高速,低压差线性稳压器,具有高纹波抑制能力。该器件采用BCD工艺制造PC58LXXX提供过热,过流保护,以确保设备在良好的条件下工作n 特征Ÿ ...
2023年11月27日 17:36   |  
LDO   线性稳压器   低功耗  
PC503B高精度低功耗复位芯片超小体积封装

PC503B高精度低功耗复位芯片超小体积封装

■产品概述PC503B 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选择 CMOS 输出或 Open Drain 输出。产品特点高精 ...
2023年11月27日 17:33   |  
低功耗复位芯片   LDO   复位芯片  
PC0401同步降压4A/18V输入带限流软启动过温过压过流保护

PC0401同步降压4A/18V输入带限流软启动过温过压过流保护

描述PC0401是一款简单易用的4A同步降压转换器,具有小尺寸的SOT23-6L封装。该设备经过优化,以最大限度地减少运行所需的外部组件,并实现低待机电流。这些开关模式电源(SMPS)设备采用COT模式 ...
2023年11月27日 17:29   |  
降压芯片   DC-DC降压  
替代MAX811低电压监测复位芯片

替代MAX811低电压监测复位芯片

描述PC811是一种低功耗微处理器(μP)监控电路,用于监控微处理器和数字系统中的电源。低供应电流使PC811非常适合用于便携式设备。该设备采用4针SOT-143封装。 PC811在与5V供电或3V供电电路一 ...
2023年11月27日 17:21   |  
811   MAX811   复位芯片  
SI2305ADS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

SI2305ADS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

SI2305ADS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:P沟道,-20V,-4A,导通电阻57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,门源电压范围12V(±V),阈值电压-0.81V,封装:SOT23。 应用简介:SI2305ADS-T1-GE3是一款中功率P沟 ...
2023年11月23日 17:26   |  
SI2305ADS-T1-GE3   MOS管   MOS   mosfet   vbsemi  
SI2302CDS-T1-GE3-VB一种N沟道SOT23封装MOS管

SI2302CDS-T1-GE3-VB一种N沟道SOT23封装MOS管

SI2302CDS-T1-GE3 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。 应用简介:SI2302CDS-T1-GE3适用于电源 ...
2023年11月23日 17:22   |  
SI2302CDS-T1-GE3   MOS管   MOS   mosfet  
利用继电器模块提升功能安全

利用继电器模块提升功能安全

来源:DigiKey 作者:Rolf Horn 功能安全对当今的工业系统至关重要,即使在出现错误或故障时,也能保证机器和流程的安全运行。继电器模块通过提供可靠的电路调节机制,在确保功能安全方面发 ...
2023年11月20日 09:11   |  
继电器  

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