RST30N02 RevA 是瑞斯特推出 SOT-89 三引脚小型化 N 沟道增强型功率 MOS，采用沟槽管芯工艺，核心规格为 20V 漏源耐压、25℃环境 30A 连续额定电流，适配 2.5V/4.5V 低压逻辑驱动，4.5V 栅压下 ...
瑞斯特 (RST) RST10C06 REVA 为 SOP8 标准封装 60V 沟槽型互补增强 MOS 器件，单颗芯片集成一路 60V N 沟道、一路 - 60V P 沟道，单通道 25℃连续电流均达 8A，对标 FS4559、NCE4688 等同规格 6 ...
在现代电子系统设计中，数字信号控制、照明驱动、功率转换与精密偏置是构成完整控制链路的四大核心环节。Microchip的 DSPIC33EP64MC504T-I/PT 数字信号控制器、德州仪器（TI）的 TPS92611QDGNRQ ...
很多人以为开关电源只是元器件组装，买 PCB、芯片、电容就能做出成品，实际上真正拉开差距、决定售后与市场准入的核心门槛，集中在电路设计、电磁兼容、安规标准、可靠性设计、测试验证、工艺管 ...
聚焦充电桩核心电源系统，覆盖家用民用、工商业慢充、公共直流快充、高速超充、源网荷储一体化五大主流场景，明确电源架构、模块选型、电网适配、能效优化、安全防护及升级方案，解决电网容量不 ...
瑞斯特 (RST) RST9C04JM REVA 是 SOP-8 标准封装集成 N+P 互补增强型沟槽 MOS 器件，单颗芯片内部集成一路 40V/9.2A N 沟道与一路 - 40V/-7.5A P 沟道管芯，全批次完成 100% 单脉冲雪崩 UIS 与 ...
瑞斯特 (RST) RST8C03A2 REVA 为 PDFN3.3×3.3-8 贴片封装集成 N+P 互补增强型 MOS 芯片，单封装集成一路 N 沟道、一路 P 沟道功率管，N 沟道内置肖特基续流二极管，全器件完成 100% 单脉冲雪崩 ...
瑞斯特 (RST) RST7C04 REVA 为标准 SOP-8 封装集成单 N 沟道 + 单 P 沟道复合增强型 MOS 器件，内部两路管芯完全独立隔离，N 沟道规格 40V/7A、P 沟道规格 - 40V/-7A，器件通过完整 UIS 雪崩可 ...
瑞斯特 (RST) RST6D10F REVA 为 SOP-8 封装集成双路独立 N 沟道功率 MOS 器件，单管规格 100V 耐压、6A 连续导通电流，两颗 MOS 管相互独立，共用封装空间，可实现双路同步功率控制。器件栅源阈 ...
瑞斯特 (RST) RST6D04 REVA 为 SOT-23-6 封装集成双独立 N 沟道增强型 MOS 器件，单封装内置两组完全对称 NMOS 管芯，遵循 JEDEC TO-178 AB 封装规范，采用无铅塑封工艺，满足 RoHS 环保管控要 ...
瑞斯特 (RST) RST6C04 REVA 为 SOP-8 封装集成增强型 N+P 互补双沟道功率 MOS 管，单封装内部集成一组 N 沟道、一组 P 沟道 MOS 芯片，采用沟槽功率半导体工艺制造，器件全参数遵循 40V 中低压 ...
瑞斯特 (RST) RST4P06 REVA 为 SOT-23 标准封装 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用平面沟槽芯片工艺，主打 60V 耐压、4A 连续导通电流的中小功率开关特性，器件栅源阈值电压区间为 - 1.3V~-2.5V， ...
