威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子 ...
英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET， ...
Diodes 公司推出 AP43771 USB Type-C 供电 (PD) 控制器，具备嵌入式微控制器与一次性可编程内存。若结合 Diodes 公司的互补技术，AP43771 可作为离线充电器的基础，提供 18W 至 33W 的功率，同 ...
通过立足于超结技术创新和20多年的丰富经验，英飞凌科技股份公司进一步扩展其CoolMOS产品组合，推出全新PFD7系列，该系列不仅具备一流的性能，还拥有最出色的易用性。这些器件适用于超高功率密 ...
XP Power正式宣布推出两款新的板上PCB安装单输出AC-DC电源，为现代家庭、物联网（IoT）和工业技术应用提供一个方便、经济的解决方案。
作为对之前发布的3W、5W和10W模块的补充，VCE20和VCE ...
Recom采用半砖型包装的降压-升压转换器RBBA3000可提供高达3000W的输出功率和98%的转换效率。它采用基板冷却方式，并允许对输出电压和最大电流进行单独编程。儒卓力在电子商务网站www.rutronik24 ...
在高压工业应用中，工程师们可以使用全新的高密度隔离式DC/DC偏置电源，将电源解决方案缩小80%，从而最大限度地提高效率
德州仪器（TI）推出了首款采用新型专有集成变压器技术开发的集成电路 ...
器件占位面积10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 mΩ，FOM降至172 m*nC，均为业内最佳水平
Vishay推出新型-30 V p沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3. ...
器件采用PowerPAK SO-8单体封装，导通电阻降至2.35 m，栅极电荷为55 nC，COSS为614 pF
Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET ...
协助设计师为数据中心、汽车HEV和工业应用实现碳化硅节能
Littelfuse推出栅极驱动器评估平台(GDEV)。 新的评估平台可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他 ...
美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS（on）的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，这些650V SiC FET能够取代已有 ...
2 A和3 A器件反向电压从45 V到200 V，正向压降低至0.36 V
Vishay推出16款采用eSMP系列超薄SMP（DO-220AA）封装的新型2 A和3 A器件，扩充其表面贴装TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vi ...
