电源技术新品列表

ADI推出超低噪声、超高PSRR µModule稳压器,为噪声敏感型应用供电

ADI推出超低噪声、超高PSRR µModule稳压器,为噪声敏感型应用供电

Analog Devices, Inc. (ADI)推出一款超低噪声双输出DC/DC μModule稳压器,在芯片设计、布局和封装方面具有专利创新。LTM8080的前端是一个高效同步Silent Switcher降压型稳压器,后面是两个单独 ...
2023年03月23日 16:54   |  
μModule   稳压器   LTM8080  

苏州源特隔离DCDC方案VPC5021简介

1 特点  超低启动电流(最大值为 5uA)  电流模式控制  集成 1.5A 峰值电流栅极驱动器  开关频率可编程  轻负载逐级模拟降频优化效率曲线  ...
2023年03月23日 16:51   |  
PWM控制器   VPC5021  

苏州源特-隔离DCDC芯片VPC2188B简介

VPC218XB 电流模式 PWM 控制器4-100VIN 超宽压启动 1 特点  超宽输入电压范围 4V~100V 启动电路  适用于反激\Boost\Buck 多种拓扑  限流阈值电压 156mV 和 500 ...
2023年03月23日 16:46   |  
VPC2188B  
安森美推出仿真工具,助力加速复杂电力电子应用上市周期

安森美推出仿真工具,助力加速复杂电力电子应用上市周期

引领行业的PLECS模型和系统级仿真,适用于软/硬开关应用、边界建模和自定义寄生环境,可创建虚拟原型 安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON)针对其EliteSiC碳化硅(SiC)产品系列及其 ...
2023年03月22日 16:56   |  
EliteSiC   碳化硅   SiC   在线仿真   PLECS  
Qorvo 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

Qorvo 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

Qorvo将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术,其高性能具体表现在:750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 产品 TOLL 封装系列中的首发 ...
2023年03月21日 18:31   |  
750V   SiC   FET  
Microchip推出全新MPLAB SiC电源模拟器,助力客户在设计阶段测试SiC电源解决方案

Microchip推出全新MPLAB SiC电源模拟器,助力客户在设计阶段测试SiC电源解决方案

基于PLECS的工具可在将设计实现为硬件之前,快速评估针对各种电源开关拓扑结构的解决方案 电气化正在推动SiC半导体的增长,由于其具备快速开关能力、更低的功率损耗和更高的温度性能,电动汽 ...
2023年03月21日 18:20   |  
SiC   MPLAB   电源模拟器   电源设计  
Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC

Power Integrations推出900V氮化镓反激式开关IC

新款PowiGaN InnoSwitch IC面向工业应用和400V系统汽车电源,输出功率可高达100W Power Integrations推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有 ...
2023年03月21日 18:14   |  
氮化镓   GaN   InnoSwitch3  
Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP

Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP

该系统级封装(SiP)氮化镓功率管可以为USB-C PD适配器和其它低功耗应用提供结构紧凑、具成本效益、快速面市的解决方案。 Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品(展位#853)。 Transphorm, I ...
2023年03月21日 18:12   |  
氮化镓   电源适配器   WT7162RHUG24A   Transphorm   伟诠  
大联大诠鼎集团推出基于Richtek产品的锂电池充电器方案

大联大诠鼎集团推出基于Richtek产品的锂电池充电器方案

大联大旗下诠鼎推出基于立锜科技(Richtek)RT9490WSC芯片的锂电池充电器方案。 图示1-大联大诠鼎基于Richtek产品的锂电池充电器方案的展示板图 近年来随着互联网的快速发展,以锂 ...
2023年03月16日 18:08   |  
RT9490WSC   充电器  
3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高(SiC MOSFET)。

3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高(SiC MOSFET)。

3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单 ...
2023年03月10日 09:38   |  
大功率脉冲功率源   SiCMOS   碳化硅MOS   工业电源  
Qorvo PAC 系列提供业界首款 20 单元智能电池管理单芯片解决方案

Qorvo PAC 系列提供业界首款 20 单元智能电池管理单芯片解决方案

Qorvo 宣布其不断壮大的电源应用控制器 (PAC) 系列推出新品 PAC22140 和 PAC25140,这是业界首个单芯片解决方案,用于支持由最多 20 个串联电池 (20s) 组成的电池组。这些产品采用 PAC 的智能电 ...
2023年03月08日 21:21   |  
PAC22140   PAC25140   电机控制   电池管理  
新款底板冷却型AC-DC电源,为气流受限或无气流的恶劣环境应用提供完整的解决方案

新款底板冷却型AC-DC电源,为气流受限或无气流的恶劣环境应用提供完整的解决方案

XP Power宣布推出一款新的超薄底板冷却型160W AC-DC电源方案。这款新产品旨在用于半导体制造和工业技术应用,包括测试和测量、工厂自动化和制程控制,重点解决冷却、空气污染和集成问题。 ...
2023年03月08日 21:18   |  
AC-DC   ASB160  

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