~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件~
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电 ...
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降 ...
新型栅极驱动器集成电路集成了自举二极管和电阻器，有助于简化无刷电机、电动工具和DC-DC转换器的高速设计
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）推出IXD0579M高速栅极驱动器集成电路。IXD0579M简 ...
H5028L 是一款具有优势的非隔离式恒流 LED 驱动芯片，其外围电路简洁，大大降低了设计与组装复杂度，能有效节省开发时间与成本。
在工作模式上，H5028L 采用 VFPWM 连续工作模式，典型 ...
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中 ...
～ 无微机且低功耗，有助于节省空间 ～
美蓓亚三美株式会社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司（总裁：田中诚司，总部地址：东京都港区，下称“ABLIC”）今天推出用于电池简易余 ...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650 V CoolGaN G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构， ...
一支研究团队在锌空气电池（ZABs）领域取得重要进展，通过开发新型双原子催化剂（DACs），显著提升了电池的氧还原反应（ORR）效率，使其在能量密度、循环寿命等方面表现优异，有望推动该技术的 ...
南芯科技（证券代码：688484）宣布推出带控制引脚的锂电保护芯片 SC5617E，有助于解决硅负极电池的应用痛点。SC5617E 面向单节锂电池充放电，具备高精度、低功耗和智能控制三大优势，为手机、平 ...
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。
新产品采用ROHM ...
大联大旗下世平推出以晶丰明源（BPS）LKS32MC453 MCU和杰华特（JOULWATT）JW3376 AFE芯片、JW3330高边驱动器、JWH5140F单片降压开关稳压器、JW7806 LDO稳压器为主，辅以芯迈（Silicon Magic）SD ...
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IF ...
