铠侠第九代BiCS FLASH 512Gb TLC闪存启动出货
发布时间：2025-7-28 10:37
发布者：eechina
|
铠侠（Kioxia）宣布，其基于第九代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的512Gb TLC闪存样品已正式向客户出货，并计划于2025财年（2025年4月至2026年3月）启动大规模量产。 第九代BiCS FLASH 512Gb TLC闪存采用创新的CBA（CMOS直接键合到阵列）技术，通过解耦存储单元阵列与外围CMOS电路的制造流程，实现了成本与性能的平衡。相较于前代产品，该芯片写入性能提升61%，读取性能提升12%，能效表现显著优化：写入操作能耗降低36%，读取操作能耗降低27%。其支持Toggle DDR6.0接口标准，NAND接口速率达3.6Gb/s，实验室环境下更突破至4.8Gb/s，为数据中心GPU集群的高效数据吞吐提供硬件支撑。 
铠侠同步推进的“双轨战略”在此次发布中进一步深化。第九代产品通过复用现有阵列制程与更新外围芯片，以低成本路径实现性能跃升；而第十代技术则聚焦存储层数突破，通过332层堆叠与晶圆平面布局优化，使位密度提升59%。这种代际协同策略既满足了当前市场对高性价比解决方案的迫切需求，也为未来大容量存储应用预留技术接口。 随着生成式AI训练规模指数级增长，数据中心对存储设备的性能、密度与能效提出严苛要求。铠侠将第九代BiCS FLASH闪存整合至企业级SSD产品线，特别针对AI系统GPU效率优化设计。例如，其最新发布的245.76TB超大容量SSD已搭载该技术，通过单盘支持PB级数据集的高效存取，显著降低AI训练集群的存储延迟与能耗。此外，铠侠与AIO Core、京瓷合作开发的兼容PCIe 5.0的光学SSD原型，进一步探索了存储介质与算力节点的融合路径。 铠侠强调，第九代BiCS FLASH的量产计划基于对云计算、AI等高增长领域的深度洞察。公司已协调四日市工厂与北上工厂的产能布局，确保2025财年内完成从样品验证到规模化生产的平稳过渡。与此同时，铠侠持续优化资本支出结构，通过CBA技术降低制程迭代成本，避免行业普遍面临的“技术空转”风险。 第九代BiCS FLASH的推出正值全球存储市场结构性变革期。一方面，AI训练参数规模突破万亿级，推动企业级SSD需求向高吞吐、低延迟方向演进；另一方面，边缘计算与物联网设备的爆发式增长，对中低端存储的能效比提出新要求。铠侠凭借CBA技术的模块化优势，有望在保持技术领先的同时，通过差异化产品矩阵覆盖全场景需求，巩固其在3D闪存市场的领导地位。 随着2025财年量产窗口的开启，铠侠第九代BiCS FLASH 512Gb TLC闪存不仅将重新定义中低端存储的性能基准，更将通过与AI、光学存储等前沿技术的协同创新，为全球数据基础设施的可持续发展注入新动能。 |
网友评论