纳微半导体携手力积电启动8英寸硅基氮化镓量产
发布时间：2025-7-3 09:39
发布者：eechina
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当地时间7月1日，氮化镓（GaN）功率半导体领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布与台湾晶圆代工大厂力积电（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）达成战略合作，正式启动业内领先的8英寸（200mm）硅基氮化镓（GaN-on-silicon）技术量产计划。此次合作旨在强化供应链韧性、推动技术创新并优化成本效益，以满足AI数据中心、电动汽车（EV）、太阳能及消费电子市场对高效能功率半导体的快速增长需求。 纳微半导体将利用力积电位于台湾新竹竹南科学园区的8B厂200毫米产线进行生产。该工厂自2019年投入运营以来，已具备成熟的氮化镓制造能力，涵盖从微型LED到射频GaN器件的多样化应用。力积电先进的180nm CMOS工艺将助力纳微进一步提升器件性能，实现更高功率密度、更快开关速度及更优能效表现，同时优化制造成本与良率。 根据规划，力积电将为纳微生产100V至650V的氮化镓功率芯片，重点支持48V基础设施应用，包括超大规模AI数据中心和电动汽车动力系统。首批100V器件预计于2025年第四季度完成认证，2026年上半年进入量产阶段；而650V产品线将在未来12至24个月内逐步从台积电（TSMC）转移至力积电生产。 纳微半导体近期在多个关键市场取得突破，包括与NVIDIA合作开发800V高压直流（HVDC）架构，支持1兆瓦以上AI数据中心电源系统；全球太阳能巨头Enphase亦宣布采用其650V双向GaNFast芯片用于下一代IQ9产品。此外，纳微的高功率GaNSafe技术已进入商用电动汽车车载充电器（OBC）领域，首款合作车型来自长安汽车。 纳微首席执行官Gene Sheridan表示，此次合作标志着公司在供应链多元化和技术升级上的重要进展，未来将持续深化与力积电的协作，推动氮化镓技术在性能与成本效率上的突破。力积电高层则强调，双方多年技术磨合已接近量产阶段，将全力支持纳微拓展全球GaN市场。 此次8英寸硅基氮化镓的量产，不仅将提升纳微的产能规模，更可能重塑功率半导体行业格局，加速氮化镓技术在高效能源转换领域的普及。 |
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