意法半导体与英诺赛科携手签署氮化镓技术开发与制造协议
发布时间：2025-4-2 10:20
发布者：eechina
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4月2日，意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）与硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造企业英诺赛科（Innoscience）共同宣布，双方已签署一项氮化镓技术开发与制造协议。这一合作标志着双方在氮化镓功率技术领域将展开深入合作，共同推动该技术的创新与应用。 根据协议内容，意法半导体与英诺赛科将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划。双方将充分发挥各自在半导体领域的优势，共同研发更高效、更可靠的氮化镓功率器件，以满足市场对高性能电源转换、运动控制与驱动系统的需求。 此外，协议还规定了双方在生产制造方面的合作。英诺赛科将能够借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能，生产其氮化镓晶圆。同时，意法半导体也将利用英诺赛科在中国的前端制造产能，生产其自有的氮化镓晶圆。这种灵活的供应链布局将有效拓展双方的氮化镓产品组合和市场供应能力，提升供应链韧性。 意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将最大化发挥IDM这一模式的优势，为全球客户创造价值。我们期待通过此次合作，加速氮化镓功率技术的部署，进一步完善现有的硅和碳化硅产品组合，并通过灵活的制造模式更好地服务于全球客户。” 英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇博士也对此次合作表示了高度期待。她指出：“氮化镓技术对实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。英诺赛科率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，并已在多个领域取得显著成果。我们非常期待与意法半导体的合作，共同推动氮化镓技术的普及与应用，为全球客户带来更高性能、更可靠的解决方案。” |
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