中央硝子新技术可使SiC基板成本降低10%
发布时间:2024-6-26 15:10
发布者:eechina
来源:大半导体产业网 据日经中文网报道,日前,日本中央硝子(Central Glass)开发出了用于功率半导体尖端材料“碳化硅(SiC)”基板的新制造技术。 中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液来制造碳化硅基板的技术。与使用高温下升华的碳化硅使单晶生长的传统技术相比,更容易增大基板尺寸以及提高品质,这可使基板的制造成本降低1成以上,不合格率也会大幅降低。利用两种元素混合而成的溶液,很难制作出均匀的晶体,此前一直未实现实用化。中央硝子运用基于计算机的计算化学,通过推算溶液的动态等,成功量产出了6英寸口径基板,该公司打算最早于2030年把尺寸扩大到8英寸。 目前,该公司已开始与欧美的大型半导体企业等接洽,最早将于2024年夏天开始向客户提供样品,2027~2028年实现商业化。还将在日本国内的工厂实施数十亿日元规模的投资,目标是达到10%以上的份额。 此外,artience(原日本东洋油墨SC控股)也在新型接合材料的实用化方面看到了眉目。 artience新开发出了用于接合芯片和铜等基板的“纳米烧结银接合材料”,具有无需加压也能提高接合性的特点,可使接合工序的生产设备初始投资降低到原来的六分之一。通过节省加压所需要的时间,还能使接合时的生产效率提高到4倍。目前已有半导体厂商进行洽购,计划最早于2026年实现1吨的年产量,到2030年增产至3吨。如果只用于功率半导体的接合,1吨相当于约300万辆EV的用量。 |
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