科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm
发布时间：2024-5-31 14:52
发布者：eechina
|
来源：全球半导体观察 5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。 科友半导体表示，这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯，厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍，单片成本较原来降低70%，有效提高企业盈利能力。此批次晶体呈现出微凸的形貌，表面光滑无明显缺陷。 据了解，物理气相传输（PVT）法生长碳化硅单晶具有质量可控、工艺成熟的优势，但晶体厚度一直是主要制约，而溶液法在提高晶体厚度方面表现突出，但是目前仍尚未能实现真正的产业化生产。 科友半导体基于自研电阻炉，通过借鉴溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生长高厚度晶体的限制，充分利用了PVT法单晶稳定生长的优势，将两种制备方法的优势成功结合到一起。 资料显示，科友半导体成立于2018年5月，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业，研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域，形成自主知识产权，已累计授权专利80余项，实现先进技术自主可控。 科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合，致力成为第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。 |
网友评论