三星和SK海力士竞争升级 争夺下一代AI半导体市场主导权
发布时间:2024-4-23 09:27
发布者:eechina
来源:EXPreview 在进入人工智能(AI)时代后,两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产,以抢夺市场先机,争夺下一代人工智能半导体市场的主导权。随着英特尔的加入,全球半导体战线正在扩大。 据Business Korea报道,近期三星和SK海力士都公布了下一代半导体计划,问题的关键是:谁能首先将新产品推向市场?要知道SK海力士因为在HBM3上抢得先手,去年几乎垄断了英伟达HBM3订单,在存储器市场低迷时期以最快的速度扭转了颓势。 今年1月,SK海力士开始量产第五代HBM产品,也就是8层堆叠的HBM3E,使其在竞争中处于优势位置。三星则计划今年上半年,带来8层堆叠的HBM3E。不过三星在12层堆叠的HBM3E上扳回一城,于今年2月率先宣布开发成功,暂时处于领先位置,并计划今年晚些时候量产,并开始向英伟达供货。反观SK海力士,目前其12层堆叠的HBM3E刚刚向英伟达交付样品,比起三星稍微落后了一些。 至于第六代HBM产品,即HBM4,三星和SK海力士的竞争就更激烈了。三星的HBM4计划明年亮相,2026年开始进入批量生产,将提供8/12/16层堆叠的产品。SK海力士同样计划在2026年实现HBM4的批量生产,为此还与台积电(TSMC)展开合作,利用全球第一晶圆代工厂的先进技术。当然,三星也有自己的优势,是唯一拥有完整生产、代工、封装流程的半导体企业,具备为客户提供可定制化HBM解决方案的能力。 三星和SK海力士的竞争还扩展到了DRAM领域,前者近期推出了速率为10.7 Gbps的LPDDR5X,超过了SK海力士去年速率为9.6 Gbps的LPDDR5T。三星还计划今年底量产第六代10nm级别的DRAM,明年生产第七代10nm级别的DRAM。SK海力士则计划在今年第三季度量产第六代10nm级别的DRAM,比三星要更早一些。去年SK海力士凭借更先进的工艺,以及更早取得英特尔新平台的验证,通过新款DDR5内存获得不少收益。 此外,随着人工智能应用的扩大,在存储器上加入计算功能也是未来的发展方向之一,此前三星和SK海力士都已展示过相关的产品。 |
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