SRAM芯片测试
发布时间：2020-3-5 15:15
发布者：英尚微电子
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完成SRAM芯片的测试，需要设计测试电路板。测试电路板主要提供测试接口和电源。芯片的控制信号和数据信号由红色飓风II-Xilinx FPGA 开发板提供，使用ISE13.2 软件建立测试工程，编写Verilog 测试程序（主要包括按照时序提供分频后的测试时钟、数据信号和控制信号），通过JTAG 下载到FPGA 的PROM 中，重新上电进行测试，通过RIGOL DS1102CA 双通道示波器捕捉信号。 将示波器的通道1连接到写使能信号，通道2连接到数据端D7。如图1 所示，上方的波形为通道1接收的数据，下而的波形为通道2接收的数据。设计输入向量测试，当地址为OOO时，将片选端CS置为低电平，图1 中，A区WT=*0”，RD=“1“，RD= “0”，读出写入数据 为“0”; B区WT=“1”，数据为“0”; C 区WT=“0”，RD=“1”，写入数据为“1”D 区WT-“1”，RD-“1”，为了更好地观察读出“1”时端口的电平变化，该段不进行读写，在输出端口上加弱的低电平信号; E区WT=“1”，RD=“0”，读出数据为“1”，可明显地看到读出数据“1”的过程。从图中可以看到数据“0”和“1”被成功地写入和读出。  为验证实际的芯片是否可以达到设计指标，参考仿真方法，输入测试向量，以D7为例，写入10100011后读出SRAM 中的数据，波形如图2 所示。遍历OOO到111所有地址，写入并读出数据，验证每个数据端是否能够正常工作，结果显示每个数据端口功能正确。  存取时间也是SRAM的一个重要参数，它可以表示存储器的工作速度。测量得到，存取时间=299.4ns-293.2测量存取时间时，不同的数据端口会有ns=6.2ns。较小差别，这与实际芯片制造和不可避免的测量误差均有关。 测试可知：当电源电压为3.3MHZ。工作时，测得电作正常，工作频率可达20源上的最大电流约为1.8545由此可得功耗丝mA，为6.11985mW。 |
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