如图所示为300kHz信号发生器。它由VT1、T1、VD4及相关元件组成压控振荡器。压控振荡器采用LC集电极调谐式，VT1为振荡管，由变容二极管VD4、电容C3～C6和变量器T1的1～3绕组的电感组成调谐回路， ...
如图所示为HCMOS集成电路组成的48MHz晶体振荡器。晶体的基波频率为l6MHz，但振荡器强制工作于三次谐波。谐波振荡器的关键是抑制晶体的基频，图中的并联谐振电路在晶体的基频下谐振，它和晶体SJT ...
如图所示为60MHz晶体振荡器，主要是由晶体振荡电路和缓冲放大电路等组成。晶体三极管VT1为60MHz的晶体振荡器，振荡器的输出送至晶体三极管VT2的缓冲放大器进行信号放大，它的发射极有较大的反馈 ...
如图所示为70MHz晶体振荡电路。它由晶体振荡器、缓冲放大器、选频放大器等组成。它的主要功能是把晶体振荡器输出的弱信号，通过放大电路，再经选频放大后，输出70MHz的基频频率信号。
元器 ...
如图所示为考毕兹振荡器电路。它带一个基频率晶体，其频率为1499kHz，晶体SJT并接在电容C2、C3两端。射极分压电阻R2、R3提供基本的反馈信号，反馈受电容分压器C2、C3的控制。晶体SJT起振工作后 ...
如图为70MHz并联型晶体振荡电路。振荡器主要是由三极管VTl、晶体SJT及电容C1、C5等元件组成。
元器件选择：
电容C1为20p，C2为100p，C3、C7为820p，C4为56p，C5、C8为47p，C6为47μF／50V ...
如图所示的高频振荡器，可作为高频信专发生器，选择不同的电容值能够在56～484kHz范围内产生一个高频正弦波。该电路具有剃出波形好、频率稳定度高，输出阻抗低等特点。
元器件选择：
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