晶体管电路设计(上、下)
发布时间:2009-6-24 13:09
发布者:f.luo
谢谢分享 |
很好啊 |
非常感谢, 收藏了 |
看看,能否参考 |
谢谢! |
very good |
谢谢楼主,很好的书,受益非浅啊! |
感谢楼主分享! |
zhege bijiaoquan |
boabijiao duo |
感谢楼主分享! |
终于找到了 |
谢谢 |
感谢楼主分享! |
碳化硅MOS管国产从650V-1200V-1700V-3300V,后续推出6500V。 碳化硅MOS第三代半导体 国产SiC.pdf (9.49 MB) 拥有全自主知识产权,已申请40项专利技术,采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品。 |
网友评论