台积电率先推出具备100MHz读取速度的嵌入式闪存IP
发布时间：2012-8-20 18:42
发布者：eechina
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全新90纳米高速硅IP支持高效能汽车及工业微控制器应用 台积电宣布推出在单一频率周期下闪存读取速度高达100MHz的90纳米嵌入式闪存集成电路知识产权（IP），可广泛支持应用于汽车、通信以及工业领域的各类微控制器产品。 此次发表的全新IP能够提供极高的效能与卓越的系统效率，以满足更快的嵌入式闪存读取与日益攀升的中央处理器指令周期的要求，藉由100MHz闪存读取速度，新的IP得以实现闪存与高效能处理器之间的优异整合，进而提升运算性能。 相较于0.18微米工艺，应用于台积公司90纳米逻辑工艺的IP能够提供显著缩小的芯片尺寸，读取速度增快达数倍，并且能够提供将内存与逻辑功能整合于单一芯片的优势，节省印刷电路板面积，强化系统可靠性。 台积公司内存设计方案处处长Sreedhar Natarajan表示：“很显然地，这是在适当的时机所推出适合的IP，能够满足汽车、通信与工业产品微控制器应用所需的严格要求，此全新IP与台积公司90纳米逻辑工艺完全兼容，让既有的嵌入式内存与逻辑数据库得以重复再次使用，促进产品迅速量产。” 台积公司系全球唯一提供横跨多个技术世代并通过汽车电子AEC-Q100产品验证要求之嵌入式闪存IP的专业集成电路制造服务公司。 |
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