ST基于18nm FD-SOI工艺制造嵌入式MCU
发布时间：2024-3-29 14:42
发布者：eechina
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来源：大半导体产业网 日前，意法半导体(ST)发布了一项基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺，支持下一代嵌入式处理器升级进化。这项新工艺技术是意法半导体和三星晶圆代工厂共同开发，使嵌入式处理应用的性能和功耗实现巨大飞跃，同时可以集成容量更大的存储器和更多的模拟和数字外设。基于新技术的下一代STM32 微控制器的首款产品将于 2024下半年开始向部分客户提供样片，2025 年下半年排产。 与目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比，集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造工艺极大地提高了关键的品质因数： 性能功耗比提高 50% 以上 * 非易失性存储器 (NVM)密度是现有技术的2.5 倍，可以在片上集成容量更大的存储器 * 数字电路密度是现有技术的三倍，可以集成人工智能、图形加速器等数字外设，以及最先进的安全保护功能 * 噪声系数改善 3dB，增强了无线 MCU 的射频性能 该技术的工作电源电压是3V，可以给电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能供电，ST称这是20 纳米以下唯一支持此功能的半导体工艺技术。 该技术的耐高温工作、辐射硬化和数据保存期限已经过汽车市场的检验，能够满足工业应用对可靠性的严格要求。 |
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