Vishay推下一代D系列MOSFET 具有超低导通电阻、超低栅极电荷
Vishay 推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。
今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术，使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接，使栅极电荷比前一代方案低50%，同时提高了开关速度，降低了导通电阻和输入电容。
400V、500V和600V器件的导通电阻分别为0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗，能够在服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电(HID)照明、半导体设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源。
D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的栅极电荷分别为9nC、6nC和45nC，具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积，该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分别为7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。
新的D系列MOSFET采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管，易于设计到更紧凑、更轻、发热更少的终端产品中。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，雪崩(UIS)定级让器件能够稳定可靠地工作。
型号
|
|
ID @ 25 ºC (A)
|
RDS(ON) @
max 10 V (Ω)
|
Qg 典型值 (nC)
|
封装
|
SiHP6N40D
|
400
|
6
|
1.0
|
9
|
TO-220
|
SiHF6N40D
|
400
|
6
|
1.0
|
9
|
TO-220F
|
SiHP10N40D
|
400
|
10
|
0.55
|
15
|
TO-220
|
SiHF10N40D
|
400
|
10
|
0.55
|
15
|
TO-220F
|
SiHG25N40D
|
400
|
25
|
0.17
|
44
|
TO-247
|
SiHP25N40D
|
400
|
25
|
0.17
|
44
|
TO-220
|
SiHU3N50D
|
500
|
3
|
3.0
|
6
|
IPAK/TO-251
|
SiHD3N50D
|
500
|
3
|
3.0
|
6
|
DPAK/TO-252
|
SiHD5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
DPAK/TO-252
|
SiHP5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
TO-220
|
SiHF5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
T-Max®
|
SiHU5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
IPAK/TO-251
|
SiHP8N50D
|
500
|
8
|
0.85
|
15
|
TO-220
|
SiHF8N50D
|
500
|
8
|
0.85
|
15
|
TO-220F
|
SiHP14N50D*
|
500
|
14
|
0.40
|
30
|
TO-220
|
SiHG14N50D*
|
500
|
14
|
0.40
|
30
|
TO-247AC
|
SiHF18N50D*
|
500
|
18
|
0.27
|
37
|
TO-220F
|
SiHG460B/IRFP460B
|
500
|
20
|
0.25
|
85
|
TO-247AC
|
SiHG22N50D*
|
500
|
22
|
0.23
|
52
|
TO-247AC
|
SiHG32N50D*
|
500
|
32
|
0.16
|
72
|
TO-247AC
|
SiHS36N50D*
|
500
|
36
|
0.13
|
92
|
Super TO-247
|
SiHP17N60D
|
600
|
17
|
0.34
|
45
|
TO-220
|
SiHG17N60D
|
600
|
17
|
0.34
|
45
|
TO-247AC
|
*目标标准，产品即将面世
新的D系列MOSFET现可提供样品，将在2012年3季度实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十六周。 |
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