【MOSFET晶体管】NTMFS4C020NT1G，NTMFS5C404NLT1G，NVMFD5C466NWFT1G（供求）

Mingjiada

一、NTMFS4C020NT1G：30V 逻辑电平 N 通道 表面贴装型
产品说明：NTMFS4C020NT1G是一款30V 单 N 沟道功率 MOSFET晶体管。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47A（Ta），303A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：139 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10144 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），134W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

二、NTMFS5C404NLT1G：MOSFET - 功率，单 N 沟道 40V
产品说明：NTMFS5C404NLT1G 是一款40V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：52A（Ta），370A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.75 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：181 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12168 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），167W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

三、NVMFD5C466NWFT1G：MOSFET - 功率，双 N 沟道 40V
产品说明：NVMFD5C466NWFT1G 是一款双 N 沟道汽车功率 MOSFET晶体管，采用 5x6mm 扁平引线封装，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。
产品属性：
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）：40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），49A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.1 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：11nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：650pF @ 25V
功率 - 最大值：3W（Ta），38W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
[MOSFET晶体管] NTMFS4C020NT1G，NTMFS5C404NLT1G，NVMFD5C466NWFT1G（供应，回收）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
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