器件：FDMS86150A / FCPF190N60 / FDBL86563-F085 / NTBGS4D1N15MC [MOSFET 晶体管]

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[MOSFET 晶体管] FDMS86150A / FCPF190N60 / FDBL86563-F085 / NTBGS4D1N15MC（供应，回收）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！

【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！


一、FDMS86150A：100V N 通道MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.85 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4665 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：2.7W（Ta），113W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：Power56
封装/外壳：8-PowerTDFN


二、FCPF190N60：600V N 沟道功率MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：199 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：74 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2950 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：39W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3


三、FDBL86563-F085：60V N 通道MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：169 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10300 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）：357W（Tj）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-HPSOF
封装/外壳：8-PowerSFN


四、NTBGS4D1N15MC：150V 单N 通道功率MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），185A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4，1毫欧 @ 104A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4，5V @ 574µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：88.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7285 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：3，7W（Ta），316W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-263（D2PAK）
封装/外壳：TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）