世平安森美NTBG022N120M3S(1200V,SiC MOSFET)+NCD57084(Isolated IGBT Gate Driver IC)用于电动车EV充电桩方案
发布时间：2023-5-25 15:53
发布者：方案知识库
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随著全球电动车市场的快速发展，越来越多车用半导体大厂纷纷投入开发相关的应用，其中电动车EV充电桩是不可或缺的周边设备，就像燃油车需要加油站一样，必须提高EV充电桩的布建密度才能因应电动车的发展。 然而，EV充电桩的用电量动辄高达数百KW，若没有考虑到用电品质及效率，势必会造成另外一个电力供应问题。本文系介绍安森美电动车EV充电桩解决方案，主要整合第三代半导体(1200V , SiC MOSFET)及隔离驱动IC，应用在600V~900VDC(Max) 及6KW输出的EV充电桩。 ►场景应用图
Electric Car Automobile Carsharing - Free photo on Pixabay-pixabay.com ►产品实体图 Pixabay-Pixabay ►展示板照片  ►方案方块图  ►核心技术优势 1. NTBG022N120M3S(1200V,SiC MOSFET) 安森美第三代半导体碳化硅MOSFET : NTBG022N120M3S是1200V SiC MOSFET , Rds_on (Max)=30mohm@18V(Vgs)，具有极低的Gate Charge Qg(tot)=151nC 及容抗Coss=146 pF，适合应用在高电压，大电流及高速切换的操作条件，Vgs (闸源极) 最大电压范围为-10/+22V，建议Vgssop操作电压-3/+18V。 2. NCD57084(Isolated IGBT Gate Driver IC) 安森美IGBT 隔离驱动IC： NCD57084具有高驱动电流(+7A/-7A)及2.5KVrms 内部电气隔离电压，另外配备DESAT Pin 侦测IGBT 短路故障，相关功能如下示： a. 具有可程式设计延迟的DESAT保护 b. 负电压（低至 −9 V）能力，适用于 DESAT c. 短路期间的IGBT栅极箝位 d. IGBT栅极有源下拉 e. IGBT短路期间软关断(Soft Turn-off) f. 严格的UVLO 准位，实现偏差Bias灵活性 g. UVLO/DESAT期间的输出部分脉冲回避（重新启动） h. 3.3 V、5 V和15 V逻辑电压准位输入 i. 2.5 kVrms 电压 j. 高瞬态抗扰度 k. 高电磁抗扰度 3. 高效率辅助电源及DC-DC 转换器： 在此开发板中，一次侧驱动电路是由外部电源提供，规格为12V/1A，二次侧由NCV3064 IC组成高效率辅助电源，提供+12V~+18V , -3.5Vdc电压供驱动电路使用。 ►方案规格 输入电压 : 600 V to 800 VDC (最大可允许900VDC)； 输出功率 : 6KW； 输出电压：600V； 输出电流 : 10A； 操作频率：50KHZ； ► 技术文档 点击链接即可获取：https://www.wpgdadatong.com/reurl/QBziii 以上内容来源大大通官网，如有任何疑问都可上大大通进行提问~ |
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