国产碳化硅MOS管(SiC MOS ) PFC 功率器件主开关管的选择

发布时间:2022-11-11 16:35    发布者:Eways-SiC
关键词: 新能源汽车 , 充电桩 , 双向DCDC , 轨道交通 , 碳化硅MOS
国产碳化硅MOS管(SiC MOS ) PFC 功率器件主开关管的选择 PFC 技术 趋势.pdf (2.16 MB)   国产碳化硅MOS管(SiCMOS )、PFC功率器件 主开关管的选择.。如传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC,图腾柱无桥PFC等,并已成功大范围应用在设计过程中。碳化硅MOSFET相对于IGBT或超结MOSFET有更低的开关损耗。碳化硅MOSFET的体二极管虽然也存在反向恢复行为,但是其反向恢复电流相对IGBT或超结MOSFET要小很多。

SiC 技术

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Eways-SiC 发表于 2022-11-21 09:04:57
碳化硅MOS已经在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等规格的OBC的PFC和LLC大批量使用。
Eways-SiC 发表于 2022-11-24 15:09:13
第三代半导体SiC
Eways-SiC 发表于 2022-11-28 11:44:57
第三代半导体SiC MOS
Eways-SiC 发表于 2022-12-5 10:43:50
第三代半导体SIC宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点
Eways-SiC 发表于 2022-12-10 09:36:58
SIC MOS宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点
Eways-SiC 发表于 2023-1-5 09:01:59
碳化硅MOS已经在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等规格的OBC的PFC和LLC大批量用
Eways-SiC 发表于 2023-4-17 11:41:28
PFC电路大量采用国产碳化硅MOS
Eways-SiC 发表于 2023-6-1 09:20:21
SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单
Eways-SiC 发表于 2023-7-24 09:36:59
通过IATF16949、ISO9001等质量体系和第三方AEC-Q101产品可靠性认证。
Eways-SiC 发表于 2023-8-17 10:52:38
1200V-1700V-3300V 都有
Eways-SiC 发表于 2023-9-18 09:06:56
SiC MOSFET(碳化硅MOS)栅极驱动以及栅极驱动器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取码bbbc
Eways-SiC 发表于 2023-10-8 08:56:57

https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性
Eways-SiC 发表于 2024-2-22 10:18:32
SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例 - 电子工程网  https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html
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