国产碳化硅MOS管(SiC MOS ) PFC 功率器件主开关管的选择
发布时间:2022-11-11 16:35
发布者:Eways-SiC
国产碳化硅MOS管(SiC MOS ) PFC 功率器件主开关管的选择
![]() ![]() SiC 技术 ![]() |
国产碳化硅MOS管(SiC MOS ) PFC 功率器件主开关管的选择
![]() ![]() SiC 技术 ![]() |
碳化硅MOS已经在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等规格的OBC的PFC和LLC大批量使用。![]() |
第三代半导体SiC |
第三代半导体SiC MOS |
第三代半导体SIC宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点 |
SIC MOS宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点 |
碳化硅MOS已经在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等规格的OBC的PFC和LLC大批量用 |
PFC电路大量采用国产碳化硅MOS |
SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单 |
通过IATF16949、ISO9001等质量体系和第三方AEC-Q101产品可靠性认证。 |
1200V-1700V-3300V 都有 |
SiC MOSFET(碳化硅MOS)栅极驱动以及栅极驱动器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取码bbbc |
https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性 |
SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html |
SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例 - https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html |
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