儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS 功率MOSFET
发布时间：2019-7-15 18:50
发布者：eechina
英飞凌OptiMOS 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn了解有关OptiMOS BiC功率MOSFET产品信息。
由于具有最低的导通电阻(RDS(on))，这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外，通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能，从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性，从而最大限度地减少对缓冲电路的需求，同时也减少了工程成本和工作量。 这些BiC MOSFET器件的额定温度为175°，有助于实现在更高的工作结温下具有更高功率，或者在相同的工作结温下具有更长使用寿命的设计。此外，随着额定温度的增加，安全工作区域(SAO)亦改善了20%。 这些BiC MOSFET具有出色的性能数据，非常适合电信、服务器、三相逆变器、低压驱动器以及D类音频等应用。英飞凌OptiMOS BiC功率MOSFET产品系列包括60V至250V型款。 客户可以在儒卓力电子商务平台www.rutronik24.com.cn 上找到有关英飞凌OptiMOS BiC功率MOSFET产品系列的更多信息，还可以直接下订单： https://www.rutronik24.com.cn/se ... %20TMOS2542/reset:0 如需了解更多有关信息，请联系英飞凌代理商Rutronik相关人员：Tommy Xie：+86 185 8825 1633 |
网友评论