Micron 推出创新闪存装置，延长 NAND闪存生命周期
发布时间：2010-12-6 18:22
发布者：嵌入式公社
关键词：
NAND
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美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日推出高容量闪存产品组合，其将在未来延长数年NAND产品的生命周期。通过在同一个 NAND 封装内整合错误管理技术， 新的 Micron ClearNAND 装置解决了 NAND 在传统上面临的由工艺微缩方面所带来的问题。Micron 的 ClearNAND 产品组合为更先进的NAND工艺世代带来新的机遇，使其可用于企业服务器、平板电脑、便携式媒体播放器和其他多种电子消费品。 Micron 的 ClearNAND 产品采用传统的NAND接口，且为高容量和高性能应用进行了专门优化。随着产业工艺逐渐进入到 20 纳米（nm）以下规格，误码情况大幅增加，闪存管理也日趋困难，影响了 NAND闪存的运作性能和可靠性。Micron 将误码管理单元与 NAND 芯片紧密结合、封装在一起，让客户能够继续享有超大容量和超低单位成本的闪存解决方案。Micron 的 ClearNAND 产品率先采用 25 纳米多层单元（MLC）工艺，提供两种版本产品：标准型和增强型ClearNAND。 Micron 的标准型 ClearNAND 产品提供 8 到 32 GB 的封装容量，其特点在于通过最少的驱动程序改动消除主处理器的纠错码（ECC）负担。标准型 ClearNAND 产品组合是专门针对便携式媒体播放器和其他消费类电子产品而设计的。 Micron 的增强型 ClearNAND 产品除了移除主处理器上纠错码(ECC)的负担，更提供针对企业应用需求的特定功能，强化超大容量设计，提供增强的性能和可靠性。该系列产品提供 16 到 64 GB的封装容量。增强型 ClearNAND 产品专门针对企业级和数据处理类产品的应用， 首次让先进的 25 纳米多层单元(MLC) NAND 技术能够被应用在这些领域。 Micron 的标准型和增强型 ClearNAND 产品现已上市。 |
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