Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能
发布时间：2016-3-22 15:04
发布者：eechina
关键词：
MOSFET , PowerTrench
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新款100V MOSFET问世，Fairchild极具开创性的PowerTrench MOSFET产品组合又添新成员 Fairchild在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用极大地提升效率、降低电压振铃并减弱电磁干扰（EMI）。 
近25年前，Fairchild曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功。新一代PowerTrench产品将会让我们继续处于MOSFET技术研发的最前沿，领先于竞争对手，并满足客户严苛的要求。 Fairchild副总裁兼iFET业务部门总经理Suman Narayan表示：“相对于此前产品，我们的新型100V N沟道FET已取得巨大进步。从能效到可靠性，新一代PowerTrench MOSFET系列产品在各个性能类别的表现几乎都优于竞争对手，堪称行业领先。” 
新型FDMS86181的主要优点分别为：Rdson减少了40%，从而降低了导通损耗；最大程度降低栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗。FDMS86181极低的反向恢复电荷（Qrr）几乎消除了产生振铃的电压过冲隐患，这就允许在产品设计时少用或者不用缓冲器并降低电磁干扰（EMI）。 利用FDMS86181的这一独特优势，设计人员不但减小了产品的尺寸，同时还降低了物料（BOM）成本。 请访问fairchildsemi.com.cn/powertrench，获取样品以及关于新型100V PowerTrench MOSFET的更多信息。 |
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