Baolab称取得CMOS MEMS工艺突破
发布时间：2010-3-10 17:19
发布者：嵌入式公社
位于西班牙巴塞罗那的创业公司Baolab微系统声称，他们开发出了一种生产技术，可以用标准的CMOS流程来制造MEMS芯片。Baolab的CEO David Doyle说，该技术涉及在互联层内刻蚀IMD层。与现有MEMS生产技术相比，新技术将大幅降低生产成本。
NanoEMS工艺能以200nm线宽生产MEMS器件(Source: Baolab) Doyle说，在过去的十年内，该公司重复可靠地刻蚀掉金属间的介质层。该方法采用蒸汽氢氟酸（HF）刻蚀，但他回避具体细节。他说，有些声称采用CMOS工艺的MEMS厂商实际上是在标准CMOS晶片之上制造MEMS。这种MEMS-on-CMOS方法增加成本，而Baolab则可以在薄薄的铝互联层内制造MEMS。刻蚀使用已经大量生产的设备进行，仅需不到一小时，与整个生产过程所需时间相比微不足道。因为只适用标准CMOS工艺，MEMS可以直接与所需的有源电路集成在一起。 Baolab已经成功地用标准180纳米工艺在200毫米直径晶片上生产出四个以上金属层的MEMS器件，最小线宽达到200纳米。这比目前常规MEMS器件小了一个数量级，把NanoEMS带到纳米结构领域，附带的好处包括更小的尺寸、更低的功耗和更快的器件。这种器件可以像普通的CMOS器件一样进行封装。 
有些公司在标准CMOS晶片之上制造MEMS，而Baolab则在金属层内制造MEMS 嵌入式公社编译 |
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