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[供应] PH100A280-24隔离模块、BSC046N10NS3G [MOSFET] IPD60R360P7S

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发表于 2026-4-14 14:05:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: PH100A280-24 , BSC046N10NS3G , IPD60R360P7S
明佳达电子、星际金华——长期供应及回收:PH100A280-24隔离模块、BSC046N10NS3G(MOSFET晶体管)IPD60R360P7S。

【产品详情信息】
PH100A280-24(PH-A系列)100W,隔离型 DC-DC 电源模块
输入电压:200–425 VDC(适配 380V 高压直流架构)
输出:24 V / 4.2 A,100.8 W 单路输出
封装:8 引脚四分之一砖(Quarter-Brick),通孔安装
关键特性
隔离电压:500 VDC
效率:典型 89%
基板冷却,满功率可至 100°C
纹波噪声:240 mV(最大)
保护:过压、过流、远程开 / 关、遥测
应用:数据中心、电信、工业控制、新能源设备

BSC046N10NS3G(Infineon)N 沟道 OptiMOS™3 功率 MOSFET
耐压:VDS = 100 V
电流:连续漏极电流 ID = 100 A(TC=25°C)
导通电阻:RDS(on) = 4.6 mΩ @ VGS=10 V
栅极电荷:典型 QG = 63 nC
封装:SuperSO8 (PG-TDSON-8) 贴片
温度:-55°C 至 +150°C
特性
极低导通 / 开关损耗,适合高频
无铅、无卤素、RoHS 合规
优秀的 FOM(QG × RDS (on))
应用:同步整流、48V–80V 电机驱动、DC-DC 模块、UPS、D 类功放

IPD60R360P7S(Infineon)600V CoolMOS™ P7 超结 N 沟道 MOSFET
耐压:VDS = 600 V
导通电阻:RDS(on) = 360 mΩ @ VGS=10 V
栅极电荷:典型 QG = 13 nC
封装:DPAK (PG-TO252-3) 贴片
功率:Ptot = 41 W
温度:-40°C 至 +150°C
特性:
超结结构,低开关 / 导通损耗
强体二极管,耐硬换相
ESD 耐压 >2 kV(HBM)
低振铃、易设计
应用:
PFC、硬 / 软开关 PWM、LLC 谐振变换器
适配器、LED 照明、服务器 / 电信电源、UPS

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