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XC6SLX100-2FGG676C芯片属于Spartan-6 FPGA系列中的一款现场可编程门阵列IC,采用FBGA封装,适用于需要高逻辑密度和灵活I/O配置的嵌入式系统设计。
明佳达 星际金华(供应)求购FPGA - XC6SLX100-2FGG676C IRFP4468PBF EC20CEFAG-512-SGNS芯片。
关键规格参数包括:XC6SLX100-2FGG676C拥有480个I/O引脚、7911个可配置逻辑块(CLBs) 和101261个逻辑单元,最大工作频率可达667 MHz(组合延迟0.26 ns),电源电压为1.2 V(范围1.14 V至1.26 V),工作温度范围为0°C至+85°C,封装尺寸为27 mm × 27 mm,引脚间距1 mm,湿度敏感等级为3,无铅且符合RoHS标准。
资源与性能方面,XC6SLX100-2FGG676C Spartan-6 LX100基于65 nm工艺,提供4.71 Mbit嵌入式内存(包括分布式RAM和块RAM),逻辑资源丰富,适合实现复杂算法或接口协议;速度等级“-2”表示中等性能,最大时钟频率可达1.08 GHz(需参考具体配置)。
应用领域广泛,XC6SLX100-2FGG676C FPGA适用于通信基础设施、工业自动化、测试测量设备及消费电子等需要高可靠性和低功耗的场景,其高I/O数和逻辑容量支持多通道数据处理和高速接口集成。
IRFP4468PBF是StrongIRFET™功率MOSFET系列中的一员,专为实现低导通电阻(RDS(on))和高电流能力而优化。这些器件是需要高性能和坚固性的低频应用的理想选择。该全面产品组合可满足广泛应用需求,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。
规格参数
型号:IRFP4468PBF
产品种类: MOSFET
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 290 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 360 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
特性和优势
• 开关电源中的高效同步整流
• 不间断电源
• 高速功率开关
• 175°C工作温度
• 硬开关与高频电路
• 符合JEDEC标准的产品验证
• 增强的栅极、雪崩及动态dV/dt抗扰性
• 全面表征的电容值与雪崩安全工作区
• 无铅镀层;符合RoHS指令
• 符合IEC61249-2-21标准的无铅、无卤素特性
应用
• 电池储能系统(BESS)
• 电动汽车充电
• DIN导轨电源解决方案
• 单相串联逆变器解决方案
• 离线式UPS——高频变压器
EC20CEFAG-512-SGNS是LTE Cat 4无线通信模块,采用LTE 3GPP Release 11 技术,支持最大下行速率 150 Mbps和最大上行速率50 Mbps;同时在封装上兼容移远通信多网络制式LTE EC21系列、EC25系列和EG25-G 模块,实现了3G网络与4G网络之间的无缝切换。
EC20CEFAG-512-SGNS采用镭雕工艺,镭雕工艺具有外观更漂亮、金属质感强、散热更好、信息不容易被抹除、更能适应自动化需求等优点。
EC20CEFAG-512-SGNS内置多星座高精度定位GNSS(GPS/GLONASS/BDS/Galileo/QZSS)接收机;在简化产品设计的同时,还大大提升了定位速度及精度。
EC20CEFAG-512-SGNS内置丰富的网络协议,集成多个工业标准接口,并支持多种驱动和软件功能(适用于Windows 7/8/8.1/10/11、Linux、Android等操作系统下的USB驱动等),极大地拓展了EC20-CE在M2M领域的应用范围,如CPE、路由器、数据卡、平板电脑、车载、智能安全以及工业级PDA等。
型号:EC20CEFAG-512-SGNS
类型:LTE Cat 4 模块
尺寸:32.0 mm × 29.0 mm × 2.4 mm
封装:LCC
扩展温度范围:-40 °C ~ +85 °C
主要优势
专为M2M和IoT应用而设计的LTE Cat 4无线模块
各网络制式的全面覆盖
集成多星座GNSS接收机,满足不同环境下对快速、精准定位的需求
支持DFOTA和DTMF功能
MIMO技术满足无线通信系统对数据速率和连接可靠性的要求
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