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[供应] 存储器CXDQ3BFAM-CJ-A、MT53E2G32D4DE-046——MK64FN1M0VLL12微控制器

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发表于 2025-9-5 11:06:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: CXDQ3BFAM-CJ-A , MK64FN1M0VLL12
明佳达电子、星际金华现供应三款原装IC——CXDQ3BFAM-CJ-A存储 DDR4内存芯片、MT53E2G32D4DE-046 WT:A动态随机存取存储器、MK64FN1M0VLL12(Kinetis K60 微控制器IC)。

CXDQ3BFAM-CJ-A:存储 DDR4内存芯片,BGA-96
电源 :
- VDD = VDDQ = 1.2V (1.14V 至 1.26V)
- VPP = 2.5V (2.375V 至 2.75V)
JEDEC 标准封装:x1696-ball FBGA
阵列配置:8 组 (x16) 2 组 4 组
8n 位预取架构
接口: 1.2V 伪开漏 (POD)IO
工作温度:0°C ≤ TCase ≤ 95°C

MT53E2G32D4DE-046 WT:A:64Gbit、LPDDR4 动态随机存取存储器,TFBGA-200
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - 移动LPDDR4X
存储容量:64Gb
存储器组织:2G x 32
存储器接口:并联
时钟频率:2.133 GHz
写周期时间 - 字,页:18ns
访问时间:3.5 ns
电压 - 供电:1.06V ~1.17V
工作温度:-25°C ~ 85°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:200-TFBGA

供应商器件封装:200-TFBGA(10x14.5)

MK64FN1M0VLL12:20MHz、32位 ARM® Cortex®-M4 Kinetis K60 微控制器IC,LQFP-100
核心处理器:ARM® Cortex®-M4
内核规格:32-位
速度:120MHz
I/O 数:66
程序存储容量:1MB(1M x 8)
程序存储器类型:闪存
RAM 大小:256K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 3.6V
数据转换器:A/D 32x16b; D/A 1x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:100-LQFP(14x14)

封装/外壳:100-LQFP

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