SPD15P10PL【功率 MOSFET 晶体管】STF22NM60N，MPQ2178GQHE-AEC1-Z 同步降压变换器

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型号：SPD15P10PL
封装：TO-252-3/DPAK
类型：功率 MOSFET 晶体管
概述：SPD15P10PL——采用 DPAK 封装的 100V，15A，OptiMOS™ P 通道功率 MOSFET 晶体管。
规格参数：
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：200 毫欧 @ 11.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1.54mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1490 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：128W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

型号：STF22NM60N
封装：TO-220-3
类型：功率MOSFET晶体管
概述：STF22NM60N——600V，16A，MDmesh™ II系列 N通道功率MOSFET晶体管。
规格参数：
系列：MDmesh™ II
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：220 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：30W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220FP
封装/外壳：TO-220-3

型号：MPQ2178GQHE-AEC1-Z
封装：QFN-8
类型：同步降压变换器
概述：MPQ2178GQHE-AEC1-Z—— 6V、2A、2.4MHz、同步降压变换器，内置功率 MOSFET，具有电源正常指示和软启动功能。
关键特性：
适合汽车应用：
2.5V 至 6V 宽工作VIN范围
高达 2A 的输出电流(IOUT)
反馈精度为 1%
结温工作范围：-40°C 至+150°C
用于提高散热性能：
70mΩ 和 40mΩ 内部功率 MOSFET
优化后可实现 EMC/EMI：
开关频率（fSW）：2.4MHz
全负载范围内的 FCCM
Mesh-ConnectTM倒装芯片封装
针对电路板尺寸和 BOM 进行了优化
集成内部功率 MOSFET
集成补偿网络

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