STM32WB5MMGH6TR无线模块——IPD90P03P4L-04【MOSFET 晶体管】IXFH60N50P3

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【供应/求购 原装器件】STM32WB5MMGH6TR无线模块——IPD90P03P4L-04【MOSFET 晶体管】IXFH60N50P3。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！



型号：STM32WB5MMGH6TR
封装：LGA-86L
类型：无线模块
概述：STM32WB5MMGH6TR 是2.4GHz，蓝牙低能耗 5.4 和 802.15.4 模块。该器件具有高接收灵敏度和输出功率信号，可提供同类最佳的射频性能。其低功耗特性可延长电池寿命、使用小型纽扣电池和进行能量收集。
产品图：

产品特征：
集成芯片天线
动态和静态并发模式
IEEE 802.15.4-2011 MAC PHY
支持 2 Mbits/s
频带 2402-2480MHz
Tx 输出功率高达 +6 dBm
接收灵敏度：-96 dBm（1 Mbps 蓝牙® 低功耗），-100 dBm（802.15.4）
范围：最远 75 米
-Mbyte 闪存，256-Kbyte SRAM
完全集成的 BOM，包括 32 MHz 无线电和 32 kHz RTC 晶体
集成 SMPS
68 个 GPIO
1.71 V 至 3.6 V VDD 电压范围
-40°C 至 85°C 温度范围




型号：IPD90P03P4L-04
封装：TO-252-3
类型：MOSFET 晶体管
概述：IPD90P03P4L-04 是一款30V、最大 4.5mΩ 的 OptiMOS™ P2 汽车 P通道 MOSFET 晶体管。
产品图：

规格参数：
系列：OptiMOS™ P2
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.1 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 253µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：+5V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：137W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3-11
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

型号：IXFH60N50P3
封装：TO-247-3
类型：功率 MOSFET 晶体管
概述：IXFH60N50P3 是一款 500V，60A，N通道增强型功率 MOSFET 晶体管。
产品图：

规格参数：
系列：HiPerFET™, Polar3™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：96 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6250 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：1040W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3