ISL9241HRTZ / S9S12G96F0CLFR / ISOW7842DWER / IPB200N25N3G——IC器件

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【供求原装器件】ISL9241HRTZ电池充电器 / S9S12G96F0CLFR 16位微控制器IC / ISOW7842DWER数字隔离器 / IPB200N25N3G MOSFET晶体管——IC器件。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

ISL9241HRTZ：降压-升压型电池充电器，带 SMBus 接口和 USB 送电功能，TQFN-32
型号：ISL9241HRTZ
封装：TQFN-32
类型：降压-升压型电池充电器
ISL9241HRTZ——产品属性：
电池化学成份：锂离子
电池数：2 ~ 4
电流 - 充电：恒流 - 可编程
可编程特性：电流，定时器
故障保护：过流，超温，过压
电池组电压：3.9V ~ 18.304V
电压 - 供电（最高）：23.4V
接口：I2C，SMBus
工作温度：-10°C ~ 100°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-WFQFN 祼焊盘
供应商器件封装：32-TQFN（4x4）

S9S12G96F0CLFR：125MHz，16位 HCS12 微控制器IC，LQFP-48
型号：S9S12G96F0CLFR
封装：LQFP-48
类型：16位微控制器IC
S9S12G96F0CLFR——产品属性：
系列：HCS12
核心处理器：12V1
内核规格：16 位
速度：25MHz
连接能力：CANbus，IrDA，LINbus，SCI，SPI
外设：LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数：40
程序存储容量：96KB（96K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：3K x 8
RAM 大小：8K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：3.13V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 12x10b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装48-LQFP（7x7）
封装/外壳：48-LQFP

ISOW7842DWER：具有集成电源的高性能、5000VRMS 四通道增强型数字隔离器
概述：ISOW7842DWER是一款具有集成式高效电源转换器的高性能四通道增强型数字隔离器。集成式直流/直流转换器高效运行，提供最高可达 650 mW 的隔离式电源，可按各种输入和输出电压进行配置。
ISOW7842DWER——规格参数：
技术：容性耦合
类型：通用
隔离式电源：是
通道数：4
输入 - 侧 1/侧 2：2/2
通道类型：单向
电压 - 隔离：5000Vrms
共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs
数据速率：100Mbps
传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：17.6ns，17.6ns
脉宽失真（最大）：4.7ns
上升/下降时间（典型值）：2ns，2ns
电压 - 供电：3V ~ 5.5V
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

IPB200N25N3G：250V，64A，OptiMOS™ N通道 MOSFET 晶体管，TO-263-3
型号：IPB200N25N3G
封装：TO-263-3
类型：MOSFET 晶体管
IPB200N25N3G——产品属性：
系列：OptiMOS™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 64A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-3
封装/外壳：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB