MAX13487EESA收发器,QDM-5631-0-LGA24E-TR-02-1片上系统,XC7A50T-2CSG325I嵌入式 FPGA

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明佳达，星际金华供应 MAX13487EESA收发器,QDM-5631-0-LGA24E-TR-02-1片上系统,XC7A50T-2CSG325I嵌入式 FPGA



MAX13487EESA 半双工 RS-485/RS-422 兼容收发器

产品描述
MAX13487EESA 是 +5V、半双工、±15kV ESD 保护型 RS-485/RS-422 兼容收发器，具有一个驱动器和一个接收器。
MAX13487EESA 具有热插拔功能，可消除上电或带电插拔期间总线上的错误转换。

MAX13487EESA 具有自动方向控制功能。这种架构使器件非常适合隔离 RS-485 端口等应用，在这些应用中，驱动器输入与驱动器启用信号结合使用，以驱动差分总线。

MAX13487EESA 具有降低压摆率的驱动器，可最大限度地降低 EMI 并减少因端接不当的电缆造成的反射，从而实现高达 500kbps 的无差错传输。

特性
自动定向节省空间
自动定向功能可在传输时自动启用驱动器，无需光耦或其他分立隔离方式
8 引脚 SO 封装
针对电信、工业和隔离应用的强大保护功能
热插拔功能可消除上电或带电插入期间总线上的错误转换
针对 RS-485 I/O 引脚的扩展 ESD 保护（±15kV 人体模型）
可选项优化设计，实现高速或无差错数据传输
增强型回转速率限制有助于无差错数据传输 (MAX13487E)
高速版本 (MAX13488E) 允许高达 16Mbps 的传输速度
1/4 单元负载，允许总线上多达 128 个收发器

应用
自动 HVAC 系统
工业控制
工业电机驱动器
隔离式 RS-485 接口
公用事业计量表

QDM-5631-0-LGA24E-TR-02-1 高集成度片上系统 高集成度 SoC

产品描述
QDM-5631-0-LGA24E-TR-02-1 是一款高度集成的片上系统 (SoC)，专为各种移动和嵌入式应用而设计。它具有功能强大的基于 Arm 的 CPU、先进的图形处理能力和全面的连接选项。SoC 采用最先进的制造工艺制造，可确保高性能和高能效。

QDM-5631-0-LGA24E-TR-02-1 是一款高度集成、功能丰富的 SoC，集性能、连接性和安全性于一身，非常适合各种移动和嵌入式应用。

规格
CPU： 支持 Armv8-A 架构的 Arm Cortex-A55 CPU 内核
图形处理器 Adreno 610 GPU，用于高级图形和多媒体处理
内存 支持高达 2133 MHz 的 LPDDR4X/LPDDR5 内存
存储： 集成 eMMC 5.1 和 UFS 2.1 存储控制器
连接性 集成 Wi-Fi 6 (802.11ax)、蓝牙 5.1 和全球导航卫星系统 (GPS、GLONASS、北斗、伽利略)
摄像头 支持双 1600 万像素摄像头，具有先进的图像信号处理功能
显示屏 支持高达 60Hz 的 4K 显示分辨率
多媒体 针对流行编解码器的硬件加速视频编码和解码
安全性： 集成的高通安全处理单元（SPU）可增强安全功能

XC7A50T-2CSG325I Artix-7 嵌入式 FPGA 可编程逻辑 IC

产品描述
XC7A50T-2CSG325I Artix®-7 系列，针对需要串行收发器、高 DSP 和逻辑吞吐量的低功耗应用进行了优化。为高吞吐量、成本敏感型应用提供最低的总物料成本。

产品特性
先进的高性能 FPGA 逻辑基于真正的 6 输入查找表 (LUT) 技术，可配置为分布式存储器。
36 Kb 双端口块 RAM，内置用于片上数据缓冲的 FIFO 逻辑。
高性能 SelectIO™ 技术，支持高达 1 866 Mb/s 的 DDR3 接口。
高速串行连接，内置千兆位收发器，速率从 600 Mb/s 到最高 6.6 Gb/s 再到 28.05 Gb/s，提供特殊的低功耗模式，针对芯片到芯片接口进行了优化。
用户可配置的模拟接口 (XADC)，集成了双通道 12 位 1MSPS 模数转换器和片上热传感器和电源传感器。
带有 25 x 18 乘法器、48 位累加器和用于高性能滤波（包括优化的对称系数滤波）的预梯形图的 DSP 片。
功能强大的时钟管理芯片（CMT），结合了锁相环（PLL）和混合模式时钟管理器（MMCM）模块，可实现高精度和低抖动。
利用 MicroBlaze™ 处理器快速部署嵌入式处理。
PCI Express® (PCIe) 集成块，适用于高达 x8 Gen3 端点和根端口设计。
多种配置选项，包括支持商品存储器、具有 HMAC/SHA-256 身份验证功能的 256 位 AES 加密以及内置 SEU 检测和校正。
低成本、接线式、裸片倒装芯片和高信号完整性倒装芯片封装，便于在同一封装的系列产品之间迁移。所有封装均提供无铅封装，部分封装提供有铅选项。
采用 28 纳米、HKMG、HPL 工艺、1.0V 内核电压工艺技术和可实现更低功耗的 0.9V 内核电压选项，专为高性能和低功耗而设计。