串行闪存芯片MT28EW256ABA1HPC-0SIT，MT25QU128ABB1ESE-0AUT，MT25QU512ABB8E12-0AUT

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明佳达，星际金华供求 串行闪存芯片MT28EW256ABA1HPC-0SIT，MT25QU128ABB1ESE-0AUT，MT25QU512ABB8E12-0AUT

MT28EW256ABA1HPC-0SIT 并行 NOR 闪存嵌入式 IC LBGA-64

产品描述
MT28EW256ABA1HPC-0SIT 是一款异步、统一块、并行 NOR 闪存设备。只需一个低压电源即可执行读取、擦除和编程操作。上电时，器件默认为读取阵列模式。

特性
密度：256Mb
单级单元 (SLC) 工艺技术
电源电压 - VCC = 2.7-3.6V（编程、擦除、读取）
电源电压 - VCCQ = 1.65 - VCC（I/O 缓冲器）

MT25QU128ABB1ESE-0AUT是一款128Mbit串行NOR闪存器件，可满足消费电子、工业、有线通信以及计算应用的需求。该器件采用行业标准封装、引脚分配、命令集和芯片组兼容性，易于为各类设计所采用。这样可节省宝贵的开发时间，同时确保与现有和未来设计的兼容性。

产品规格：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mbit
存储器组织：16M x 8
存储器接口：SPI
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：1.8ms
电压 - 供电：1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 125°C (TA)
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC (0.209", 5.30mm 宽)
供应商器件封装：8-SO

MT25QU512ABB8E12-0AUT 串行 NOR 闪存 IC

产品描述
MT25QU512ABB8E12-0AUT 是一款高性能多输入/输出、512Mbit、1.8V 多输入/输出串行闪存芯片。

产品规格：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mbit
存储器组织：16M x 8
存储器接口：SPI
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：1.8ms
电压 - 供电：1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 125°C (TA)
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC (0.209", 5.30mm 宽)
供应商器件封装：8-SO