存储器：S80KS5123GABHV020，S27KS0643GABHA020，S28HS512TGABHB010

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明佳达，星际金华供求存储器：S80KS5123GABHV020，S27KS0643GABHA020，S28HS512TGABHB010

高速 CMOS S80KS5123GABHV020 存储器芯片 FBGA24 集成电路芯片

产品描述
S80KS5123GABHV020 是具有八进制 xSPI 接口的 512MBit 1.8 V HYPERRAM™ 自刷新动态 RAM (DRAM)，工业 (105°C) xSPI（八进制）HYPERRAM Gen 2.0，采用 24-FBGA 封装。

特性
技术：25 纳米 DRAM
在写入事务中作为写入数据掩码输入
数据吞吐量高达 400 MBps（3,200 Mbps）
电源模式： 混合睡眠模式、深度关机

S27KS0643GABHA020 64Mbit 伪 SRAM 存储器 IC 24-FBGA

产品描述
S27KS0643GABHA020 是 64Mb HYPERRAM™ 自刷新 DRAM (PSRAM) 存储器芯片。

特性
xSPI（八进制）接口
可选 DDR 中心对齐读取选通 (DCARS)
200 MHz 最大时钟频率
部分存储器阵列（1/8、1/4、1/2 等）
工作温度范围 - 工业级 Plus (V)： -40°C 至 +105°C

闪存 NOR 存储器 IC S28HS512TGABHB010 集成电路芯片 24-FBGA 512Mbit

产品描述
S28HS512TGABHB010 是 FLASH - NOR (SLC) 存储器 IC，Semper® Flash，带八进制接口，512Mbit SPI - 八进制 I/O，200 MHz 5.45 ns，封装为 24-FBGA (6x8)。

特性
256 或 512 字节的页面编程缓冲器
数据完整性 CRC 可检测存储器阵列中的错误
SafeBoot 可报告器件初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项
1024 字节（32 x 32 字节）的 OTP 安全硅阵列