搜索
热门关键词:
场效应管
赛灵思
MEMS
USB
村田
手机版
官方微博
微信公众号
登录
|
免费注册
首页
新闻
新品
文章
下载
电路
问答
视频
职场
杂谈
会展
工具
博客
论坛
在线研讨会
技术频道:
单片机/处理器
FPGA
软件/编程
电源技术
模拟电子
PCB设计
测试测量
MEMS
系统设计
无源/分立器件
音频/视频/显示
应用频道:
消费电子
工业/测控
汽车电子
通信/网络
医疗电子
机器人
x
x
当前位置:
EEChina首页
›
论坛
›
电源技术
返回列表
查看:
4393
|
回复:
1
[提问]
功率MOSFET和IGBT各有什么特性?
[复制链接]
wccd
wccd
当前离线
积分
466
发表于 2012-3-7 22:37:37
|
显示全部楼层
|
阅读模式
贸泽电子有奖问答视频,回答正确发放10元微信红包
关键词:
IGBT
,
MOSFET
功率
MOSFET
和
IGBT
各有什么特性?
相关文章
•
ROHM开发出第5代SiC MOSFET,高温下导通电阻可降低约30%
•
Diodes推出行业领先的 100V PowerDI 8080-5 封装 MOSFET,低 RDS(ON) 助力实现 48V 汽车系统的高效率设计
•
Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
•
MOS管在汽车车灯的应用参数详解与选型指南
•
为800V应用选择合适的半导体技术
•
分立半导体MOSFET - IPDQ60R055CM8 ISC013N06NM5SC ISC016N06NM5SC
•
OptiMOS™ 6功率MOSFET介绍:IQE018N06NM6 IQE018N06NM6CG IQE018N06NM6SC IQE018N06NM6CGSC
•
芯迈半导体发布第二代80V SGT MOSFET产品线
•
IGBT基础知识:器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性
•
英飞凌3.3kV SiC XHP2模块:重新定义高压牵引系统的性能标杆
回复
举报
wccd
wccd
当前离线
积分
466
楼主
|
发表于 2012-3-7 22:44:09
|
显示全部楼层
对控制要求有些差异吧。
回复
支持
反对
举报
返回列表
高级模式
B
Color
Image
Link
Quote
Code
Smilies
您需要登录后才可以回帖
登录
|
立即注册
本版积分规则
发表回复
回帖后跳转到最后一页
关于我们
-
服务条款
-
使用指南
-
站点地图
-
友情链接
-
联系我们
电子工程网
© 版权所有
京ICP备16069177号
| 京公网安备11010502021702
快速回复
返回顶部
返回列表