闪存存储器：S80KS5123GABHB023，S26HS512TGABHI013，S80KS2563GABHI020

xingjijinhua

明佳达，星际金华供求 闪存存储器：S80KS5123GABHB023，S26HS512TGABHI013，S80KS2563GABHI020



512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGA 存储器 IC

产品描述
S80KS5123GABHB023 限制了事务的持续时间，并在新事务开始时，如果内存显示需要刷新操作，则允许额外的初始访问延迟。

特性
22mA/25mA 突发读/写电流消耗
混合睡眠模式
深度掉电模式

S26HS512TGABHI013 存储器 IC 512Mbit 24-FBGA

产品描述
S26HS512TGABHI013 提供 1.8V/3.0V 接口 SEMPER 闪存 512Mb (64MB) 和 HYPERRAM™ 64Mb (8MB)。

特性
最大时钟频率 200MHz
35ns 最大访问时间
DDR - 在两个时钟沿传输数据

S80KS2563GABHI020 32MB 200MHz 伪 SRAM 存储器 IC

产品说明
S80KS2563GABHI020 是 HYPERRAM 产品支持的八进制 xSPI 接口，它借鉴了并行和串行接口存储器的传统特性，同时提高了系统性能，简化了设计，降低了系统成本。