三相集成 GaN 技术如何更大限度地提高电机驱动器的性能

发布时间：2024-8-20 19:06 发布者：eechina

该白皮书探讨了德州仪器的 DRV7308 三相 GaN 智能电源模块 (IPM) 如何持续助力提高电器和 HVAC 系统电机驱动器的功率密度、电力输送能力和效率，同时节省系统成本并提高可靠性。

本白皮书重点讨论了使用基于氮化镓 (GaN) 的电源开关对电机驱动器效率提升的作用以及注意事项：

Ÿ GaN 如何提高逆变器效率：在开关损耗方面，与 MOSFET 和 IGBT 相比，GaN FET 的损耗要低得多。

Ÿ 使用 GaN 电源开关提高电机性能：由于 GaN 即使在较低的 dv/dt 下也能提供低得多的开关损耗，因此能够以高得多的频率进行开关以提高电机效率和性能。

Ÿ 在电机驱动器中使用 GaN 时的设计注意事项：设计人员通常必须考虑 dv/dt 对电机绝缘、轴承寿命、电磁干扰 (EMI) 和可靠性的影响。

下载全文：