运算放大器NCS20164DR2G，MOSFET驱动器NCP303152MNTWG，PIC18F55Q24-I/6LX 8位微控制器 IC

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NCS20164DR2G：8MHz，轨至轨，CMOS 运算放大器
型号：NCS20164DR2G
封装：SOIC-14
类型：运算放大器
NCS20164DR2G - 产品属性：
放大器类型：标准
电路数：4
输出类型：单端，轨至轨
压摆率：3.5V/µs
增益带宽积：8 MHz
电流 - 输入偏置：5 pA
电压 - 输入补偿：300 µV
电流 - 供电：500µA
电流 - 输出/通道：50 mA
电压 - 跨度（最小值）：1.8 V
电压 - 跨度（最大值）：5.5 V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：SOIC-14


NCP303152MNTWG：集成式MOSFET驱动器
型号：NCP303152MNTWG
封装：PQFN-39
类型：MOSFET驱动器
NCP303152MNTWG - 产品说明：
平均电流可达 50 A
可承受 80 A (10 ms) 峰值电流
80 A 封装级 UIS 经过测试，提高了稳健性
30 V / 30 V 击穿电压 MOSFET 可实现更高的长期可靠性
高性能、通用基底面、铜夹式 5 mm x 6 mm PQFN 封装
开关频率高达 1 MHz
兼容 3.3 V 或 5 V PWM 输入
适当响应 3 级 PWM 输入
精确的电流监控
集成温度监控 (TMON)


PIC18F55Q24-I/6LX：8位微控制器 IC 64MHz 48-VQFN（6x6）
型号：PIC18F55Q24-I/6LX
封装：VQFN-48
类型：8位微控制器 IC
PIC18F55Q24-I/6LX - 产品属性：
核心处理器：PIC
内核规格：8 位
速度：64MHz
I/O 数：43
程序存储容量：32KB（32K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：512 x 8
RAM 大小：2K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 30x10b SAR;D/A 1x8b
振荡器类型：外部，内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：48-VQFN（6x6）
封装/外壳：48-VFQFN 裸露焊盘


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