FF600R12ME4B72【IGBT 模块】，STGWA40HP65FB2【晶体管】NTMFS4C908NAT3G

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FF600R12ME4B72：1200V，1200A IGBT 模块，底座安装
型号：FF600R12ME4B72
封装：模块
类型：IGBT 模块
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1200 A
功率 - 最大值：20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）：3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：37 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 150°C
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块

STGWA40HP65FB2：650V，227W 单 IGBT 晶体管，通孔 TO-247 长引线
型号：STGWA40HP65FB2
封装：TO-247-3
类型：IGBT 晶体管
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：72 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
功率 - 最大值：227 W
开关能量：410µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：153 nC
25°C 时 Td（开/关）值：-/125ns
测试条件：400V，40A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：140 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247 长引线

NTMFS4C908NAT3G：30V N通道 MOSFET 晶体管
型号：NTMFS4C908NAT3G
封装：DFN-8
类型：MOSFET 晶体管
描述：NTMFS4C908NAT3G 是一款采用SO−8 FL封装的30V，52A，单 N-通道功率 MOSFET 晶体管。
产品特征：
低 RDS(on)，将传导损耗降至最低
低电容，将驱动器损耗降至最低
优化栅极电荷，最大限度降低开关损耗

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