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明佳达电子（星际金华）长期供【供应】【回收】原装库存器件：SCT3030ARHRC15【功率 MOSFET 晶体管】SCT3040KRHRC15，C3M0045065L【碳化硅 MOSFET 晶体管】C3M0060065L，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！
一、SCT3030ARHRC15：汽车级 N 沟道碳化硅功率 MOSFET 晶体管
1、描述：
SCT3030ARHRC15 是一款650V 70A的N通道碳化硅功率MOSFET 晶体管。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻。
2、产品特征：
导通电阻低
开关速度快
快速反向恢复
易于并联
驱动简单
3、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 27A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 13.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：104 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1526 pF @ 500 V
功率耗散（最大值）：262W
工作温度：175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-4
二、SCT3040KRHRC15：汽车级 N-通道SiC功率 MOSFET 晶体管
1、描述：
SCT3040KRHRC15 是一款1200V，55A的N通道硅功率功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻
2、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
功率耗散（最大值）：262W
工作温度：175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-4
3、产品特征：
导通电阻低
开关速度快
快速反向恢复
易于并联
驱动简单
三、C3M0045065L：650V 分立式 SiC MOSFET 晶体管
1、描述：
C3M0045065L 是650V、45mΩ、49A 分立式碳化硅MOSFET 晶体管，采用TOLL 封装。该器件是高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用的理想之选。
2、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 17.6A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 4.84mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：59 nC @ 15 V
Vgs（最大值）：+19V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1621 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：164W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TOLL
3、产品特征：
低导通电阻
低引线电感
低热阻抗
超低反向恢复的快速二极管
高温工作（TJ = 175°C）
四、C3M0060065L：650V、60mΩ、39A、TOLL 封装、分立式碳化硅 MOSFET 晶体管
1、描述：
C3M0060065L 是采用TOLL 封装的650V 分立式碳化硅 MOSFET 晶体管。该器件是高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用的理想之选。
2、产品特点：
低导通电阻
超低反向恢复的快速二极管
高温工作（TJ = 175°C）
低引线电感
低热阻抗
3、产品优点：
降低开关和传导损耗，提高系统效率
实现高开关频率操作
提高系统级功率密度
减小系统尺寸、重量和冷却要求
支持新的硬开关拓扑结构（图腾极 PFC）
深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：SCT3030ARHRC15【功率 MOSFET 晶体管】SCT3040KRHRC15，C3M0045065L【碳化硅 MOSFET 晶体管】C3M0060065L。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
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发表于 2024-6-20 15:17:50