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MT53E1G32D2FW-046 WT:A,MT40A256M16LY-062E AAT:F,MT41K512M16VRP-107 IT:P存储器
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xingjijinhua
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发表于 2024-5-28 10:44:39
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贸泽电子有奖问答视频,回答正确发放10元微信红包
明佳达,星际金华 供求 MT53E1G32D2FW-046 WT:A,MT40A256M16LY-062E AAT:F,MT41K512M16VRP-107 IT
存储器
MT53E1G32D2FW-046 WT:A 32G 存储器 IC VFBGA-200 封装
产品描述
MT53E1G32D2FW-046 WT:A 采用多芯片封装 (MCP) 和封装上封装 (PoP) 设计,可节省
PCB
空间。MT53E1G32D2FW-046 WT:A 优化了 x16、x32 和 x64 配置,为某些应用节省了 BOM。
特性
多芯片封装(MCP)和封装上封装(PoP)设计,节省 PCB 空间
峰值带宽比 DDR4 快 33
MT40A256M16LY-062E AAT:F 4G 256M 内存 IC
产品描述
MT40A256M16LY-062E AAT:F 使系统设计人员能够在相同的贴片数量下利用更多的可用内存,这有助于增加系统的带宽或支持的功能集。
特点
带宽比 DDR3 提高达 50
1.2V 的低
电压
消耗(内核和 I/O)降低了内存功耗需求
与 DDR3 相比,省电功能可将总功耗降低 35
MT41K512M16VRP-107 IT
内存 IC
产品描述
MT41K512M16VRP-107 IT
内存集性能、功耗、延迟和物理空间于一身,具有高能效特点。MT41K512M16VRP-107 IT
存储器适用于手机、电池供电应用和超便携设备。
特点
提高了数据信号完整性和系统可靠性;ODT、DBI、命令/地址奇偶校验和 CRC
支持高达 16Gb 的单芯片密度
支持多级封装
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