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[供应] MT53E1G32D2FW-046 WT:A,MT40A256M16LY-062E AAT:F,MT41K512M16VRP-107 IT:P存储器

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发表于 2024-5-28 10:44:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
明佳达,星际金华 供求 MT53E1G32D2FW-046 WT:A,MT40A256M16LY-062E AAT:F,MT41K512M16VRP-107 IT存储器



MT53E1G32D2FW-046 WT:A 32G 存储器 IC VFBGA-200 封装

产品描述
MT53E1G32D2FW-046 WT:A 采用多芯片封装 (MCP) 和封装上封装 (PoP) 设计,可节省 PCB 空间。MT53E1G32D2FW-046 WT:A 优化了 x16、x32 和 x64 配置,为某些应用节省了 BOM。

特性
多芯片封装(MCP)和封装上封装(PoP)设计,节省 PCB 空间
峰值带宽比 DDR4 快 33

MT40A256M16LY-062E AAT:F 4G 256M 内存 IC

产品描述
MT40A256M16LY-062E AAT:F 使系统设计人员能够在相同的贴片数量下利用更多的可用内存,这有助于增加系统的带宽或支持的功能集。

特点
带宽比 DDR3 提高达 50
1.2V 的低电压消耗(内核和 I/O)降低了内存功耗需求
与 DDR3 相比,省电功能可将总功耗降低 35

MT41K512M16VRP-107 IT 内存 IC

产品描述
MT41K512M16VRP-107 IT 内存集性能、功耗、延迟和物理空间于一身,具有高能效特点。MT41K512M16VRP-107 IT 存储器适用于手机、电池供电应用和超便携设备。

特点
提高了数据信号完整性和系统可靠性;ODT、DBI、命令/地址奇偶校验和 CRC
支持高达 16Gb 的单芯片密度
支持多级封装

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