MT40A512M16TB-062E:R，MT53E128M32D2DS-053 IT:A，MT62F1G32D4DR-031 WT:B存储器

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明佳达，星际金华 供求 MT40A512M16TB-062E:R，MT53E128M32D2DS-053 IT:A，MT62F1G32D4DR-031 WT:B存储器



MT40A512M16TB-062E:R：

产品描述
MT40A512M16TB-062E:R DDR4 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，在内部被配置为x16配置的8组DRAM，在x4和x8配置的16组DRAM。DDR4 SDRAM使用8n-refetch架构来实现高速运行。8n-prefetch架构与设计用于在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。

产品属性
产品种类:动态随机存取存储器
类型:SDRAM - DDR4
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:FBGA-96
数据总线宽度:16 bit
组织:512 M x 16
存储容量:8 Gbit
访问时间:160 ps
电源电压-最大:1.26 V
电源电压-最小:1.14 V
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+ 95 C

应用
云服务器和数据中心
汽车
互动健康辅导和个性化健康监控
工业物联网和工业4.0
游戏PC

MT53E128M32D2DS-053 IT:A：

产品描述
Micron MT53E128M32D2DS-053 IT:A LPDDR4内存优化用于解决电池供电应用中的功耗问题。与DDR4相比，这些内存器件的峰值带宽快33%。与标准DRAM相比，LPDDR4内存在待机模式下的功耗降低至1/5。这些内存器件采用多芯片封装 (MCP) 和封装体叠层 (PoP) 设计，可节省PCB空间。LPDDR4内存器件优化了x16、x32和x64配置，可为某些应用节省BOM。LPDDR4内存在性能、功耗、延迟和物理空间之间实现了完美平衡，因此非常节能。这些LPDDR4内存器件适合用于手持设备、电池供电应用和超便携设备。

产品属性
产品种类:        动态随机存取存储器       
类型:        SDRAM Mobile - LPDDR4       
安装风格:        SMD/SMT       
封装 / 箱体:        VFBGA-200       
数据总线宽度:        32 bit       
组织:        128 M x 32       
存储容量:        4 Gbit       
最大时钟频率:        1.866 GHz       
电源电压-最大:        1.1 V       
最小工作温度:        - 40 C       
最大工作温度:        + 95 C       
系列:        110S       

MT62F1G32D4DR-031 WT:B：

产品描述
Micron MT62F1G32D4DR-031 WT:B 移动设备&和AI用LPDDR5 DRAM设计用于满足5G网络的需求。 DRAM支持5G智能手机以高达6.4Gbps峰值速度处理数据。这对于防止5G数据瓶颈至关重要。LPDDR 5 DRAM可以满足这些要求，数据访问速度提升50%。与前几代产品相比，该器件的功效也增加20%以上。

规格
产品种类:        动态随机存取存储器       
类型:        SDRAM - LPDDR5       
安装风格:        SMD/SMT       
封装 / 箱体:        TFBGA       
存储容量:        32 Gbit       
最小工作温度:        - 25 C       
最大工作温度:        + 85 C       
产品类型:        DRAM